硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光陣列微調(diào)設(shè)備,微調(diào)設(shè)備包括有垂直設(shè)置的第1角度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)與第二角度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),微調(diào)設(shè)備可帶動(dòng)設(shè)置于微調(diào)設(shè)備上的硅光陣列在垂直的兩個(gè)方向?qū)崿F(xiàn)角度微調(diào)。本發(fā)明還提供一種光子芯片測(cè)試系統(tǒng)硅光陣列耦合設(shè)備,包括有微調(diào)設(shè)備以及與微調(diào)設(shè)備固定連接的位移臺(tái),位移臺(tái)可實(shí)現(xiàn)對(duì)探針卡進(jìn)行空間上三個(gè)方向的位置調(diào)整?；诠庾有酒瑴y(cè)試系統(tǒng)硅光陣列耦合方法,可使得硅光陣列良好的對(duì)準(zhǔn)到芯片端面的光柵區(qū)間,從而使得測(cè)試過(guò)程更加穩(wěn)定,結(jié)果更加準(zhǔn)確。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處：片內(nèi)具有快速RAM，通?？赏ㄟ^(guò)單獨(dú)的數(shù)據(jù)總線(xiàn)在兩塊中同時(shí)訪(fǎng)問(wèn)。陜西硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)

硅光芯片是將硅光材料和器件通過(guò)特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調(diào)制器、探測(cè)器、無(wú)源波導(dǎo)器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點(diǎn)，因?yàn)楣韫庑酒怨枳鳛榧尚酒囊r底，所以能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著大規(guī)模生產(chǎn)的實(shí)現(xiàn)，硅光芯片的低成本成了巨大優(yōu)勢(shì)；硅光芯片的傳輸性能好，因?yàn)楣韫獠牧险凵渎什罡?，可以?shí)現(xiàn)高密度的波導(dǎo)和同等面積下更高的傳輸帶寬。像我們的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)就應(yīng)用到了大量的硅光芯片。陜西硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處：更耐用。

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場(chǎng)環(huán)境下的宏/微觀變形測(cè)量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻，實(shí)現(xiàn)無(wú)液氦制冷，并通過(guò)傳導(dǎo)冷方式對(duì)杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、可視化杜瓦，可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測(cè)試根據(jù)測(cè)試。2、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場(chǎng)。3、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行電流加載，較大可實(shí)現(xiàn)1000A的測(cè)試電流。4、該測(cè)量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸，不受強(qiáng)磁場(chǎng)、大電流及極低溫的影響和干擾，能夠高精度的測(cè)量待測(cè)試樣的三維或二維的全場(chǎng)測(cè)量。

目前,基于SOI(絕緣體上硅)材料的波導(dǎo)調(diào)制器成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn),也取得了許多的進(jìn)展,但在硅光芯片調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中,面臨著一系列的問(wèn)題,波導(dǎo)芯片與光纖的有效耦合就是難題之一。從懸臂型耦合結(jié)構(gòu)出發(fā),模擬設(shè)計(jì)了懸臂型倒錐耦合結(jié)構(gòu),通過(guò)開(kāi)發(fā)相應(yīng)的有效地耦合工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)耦合實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)良好的耦合效率。在此基礎(chǔ)之上,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝,并對(duì)封裝后的調(diào)制器進(jìn)行性能測(cè)試分析。主要研究基于硅光芯片調(diào)制技術(shù)的硅基調(diào)制器芯片的耦合封裝及測(cè)試技術(shù)其實(shí)就是硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)。IC測(cè)試架可以測(cè)試多種集成電路。

基于設(shè)計(jì)版圖對(duì)硅光芯片進(jìn)行光耦合測(cè)試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動(dòng)左側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第1測(cè)試點(diǎn),獲取與第1測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動(dòng)右側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第二測(cè)試點(diǎn),獲取與第二測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過(guò)測(cè)試點(diǎn)圖形與測(cè)試點(diǎn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動(dòng)左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測(cè)試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測(cè)試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺(tái)及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單,耗時(shí)短,對(duì)用戶(hù)依賴(lài)程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測(cè)試的便利性。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是一種用于測(cè)試硅光芯片耦合效率和性能的設(shè)備。河北分路器硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)

在通信器件的高級(jí)市場(chǎng)上，硅光芯片的作用更加明顯。陜西硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)

針對(duì)不同的硅光芯片結(jié)構(gòu),我們提出并且實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實(shí)驗(yàn)中,我們得到了超過(guò)60%的光纖-波導(dǎo)耦合效率。此外,我們還開(kāi)發(fā)了一款用以實(shí)現(xiàn)硅條形波導(dǎo)和狹縫波導(dǎo)之間高效耦合的新型耦合器應(yīng)用的系統(tǒng)主要是硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),理論設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明該耦合器可以實(shí)現(xiàn)兩種波導(dǎo)之間的無(wú)損光耦合。為了消除硅基無(wú)源器件明顯的偏振相關(guān)性,我們首先利用一種特殊的三明治結(jié)構(gòu)波導(dǎo),通過(guò)優(yōu)化多層結(jié)構(gòu),成功消除了一個(gè)超小型微環(huán)諧振器中心波長(zhǎng)的偏振相關(guān)性。陜西硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)