所有的ATMEL地點都經過ISO9001認證,大多數經過QS9000認證,有一些還通過了旨在保護環(huán)境的ISO14001認證。所有ATMEL的運作都受公司內部詳細的質量規(guī)范所控制,并定期進行回顧和更新。其目的就是進行持續(xù)不斷的改進,提高客戶的總體滿意度。ATMDL的質量體系二：ATMEL的質量小組與客戶合作進行質量審計,以保證ATMEL符合客戶的質量要求。從客戶項目獲得的經驗將反饋到下一次產品的生產。ATMEL保持產品和技術更新的方法是已經在實行的研究和開發(fā)的合作。研發(fā)項目與主要客戶和大學合作進行,從而獲得先進的功能模塊,以及工藝技術的改進。存儲器的工作原理：對動態(tài)存儲器進行寫入操作時,行地址首先將RAS鎖存于芯片中,然后列地址將CAS鎖存于芯片中,WE有效,寫入數據,則寫入的數據被存儲于指定的單元中。對動態(tài)存儲器進行讀出操作時,CPU首先輸出RAS鎖存信號,獲得數據存儲單元的行地址,然后輸出CAS鎖存信號,獲得數據存儲單元的列地址,保持WE=1,便可將已知行列地址的存儲單元中數據讀取出來。作為非易失性存儲器技術的創(chuàng)建之父,ATMEL將繼續(xù)把這個重要能力集成到為計算和消費產品(比如PC,存儲產品,DVD,娛樂平臺,游戲和玩具)服務的復雜產品之中。存儲器芯片認準千百路科技，提供全系列存儲器芯片。上海可擦可編程只讀存儲器

而負電流將該位單元的狀態(tài)改變?yōu)樨撈?。鐵電位單元使用晶體進行存儲,中心有一個原子。該原子位于晶體的頂部或底部。位存儲是該原子位置的函數。FRAM一個不幸的事實是其讀取是破壞性的,每次讀取后必須通過后續(xù)寫入來抵消,以將該位的內容恢復到其原始狀態(tài)。這不但耗費時間,而且還使讀取周期消耗的功率加倍,這對那些對功耗敏感的應用是一個潛在問題。然而FRAM獨特的低寫入耗電是其賣點。目前的FRAM存儲單元是基于雙晶體管,雙電阻器單元(2T2R),造成其尺寸至少是DRAM位單元的兩倍。1T1R存儲單元正在開發(fā)中,只有在開發(fā)完后,才能使FRAM成本接近DRAM的成本。磁性存儲器RAM或MRAM是磁記錄技術的自然結果。事實上,MRAM是早期計算機的主核存儲器,它被SRAM取代,然后在1970年代再被DRAM所取代。原始的MRAM它通過磁化和消磁位單元,強制它們進入不同的狀態(tài)來讀取它們。這樣做所需的電流原本是可控制的,但到了大約75nm工藝節(jié)點,電流變得無法控制的高,因為電流保持不變,但導體隨工藝縮小,導致電流密度高到無法接受。因此研究人員開始嘗試新的方法,從STT開始,到pSTT,現在大家所談論的STT-MRAM都是pSTT-MRAM。MRAM技術還有SOT(旋轉軌道隧道),它采用三端式MTJ結構,將讀取和寫入路徑分開。花都靜態(tài)只讀存儲器代理商〖千百路科技〗提供進口全系列存儲器芯片，好的服務。

    同樣的,容量越大,速度也就越慢,速度和容量不可兼得,速度高必然貴并且容量小。鐵電存儲器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中很常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存）結合起來。鐵電存儲器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中很常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存）結合起來。由于鐵電存儲器不像動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）一樣密集（即在同樣的空間中不能存儲像它們一樣多的數據）,它很可能不能取代這些技術。然而,由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲,它有望在消費者的小型設備中得到廣為地應用,比如個人數字助理（PDA）、手機、功率表、智能卡以及安全系統(tǒng)。鐵電存儲器（FRAM）比閃存更快。在一些應用上,它也有可能替代電可擦除只讀存儲器（EEPROM）和靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）,并成為未來的無線產品的關鍵元件。

    但是決定使用FRAM之前,必須確定系統(tǒng)中一旦超出對FRAM的100萬次訪問之后很不會有危險。FRAM與SRAM：從速度、價格及使用方便來看SRAM優(yōu)于FRAM,但是從整個設計來看,FRAM還有一定的優(yōu)勢。假設設計中需要大約3K字節(jié)的SRAM,還要幾百個字節(jié)用來保存啟動代碼的E2PROM配置。非易失性的FRAM可以保存啟動程序和配置信息。如果應用中所有存儲器的很大訪問速度是70ns,那么可以使用一片FRAM完成這個系統(tǒng),使系統(tǒng)結構更加簡單。FRAM與DRAM：DRAM適用于那些密度和價格比速度更重要的場合。例如DRAM是圖形顯示存儲器的很佳選擇,有大量的像素需要存儲,而恢復時間并不是很重要。如果不需要下次開機時保存上次內容,使用易失性的DRAM存儲器就可以。DRAM的作用與成本是FRAM無法比擬的,事實證明,DRAM不是FRAM所能取代的。FRAM與Flash：很常用的程序存儲器是Flash,它使用十分方便而且越來越便宜。程序存儲器必須是非易失性的并且要相對低廉,且比較容易改寫,而使用FRAM會受訪問次數的限制,多次讀取之后會失去其非易失性。在大多數的8051系統(tǒng)中,對存儲器的片選信號通常允許在多個讀寫訪問操作時保持為低。但這對FM1808不適用,必須在每次訪問時由硬件產生一個正跳變。找原裝芯片，進口存儲器芯片，千百路科技提供專業(yè)的全系列存儲IC。

    但是寫操作仍要保留一個"預充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預充電"過程,來恢復數據位。增加預充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產品,但各項性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價格較高但速度快,由于存在"預充"問題,在時序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產品具有RAM和ROM優(yōu)點,讀寫速度快并可以像非易失性存儲器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點,訪問次數是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問次數是100萬次,比flash壽命長10倍,但是并不是說在超過這個次數之后,FRAM就會報廢,而是它只只沒有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問速度要快得多。千百路科技是一家專注于存儲器系列芯片的深圳代理公司。黃埔只讀存儲器

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    鐵電存儲技術早在1921年提出,直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發(fā)出較早個4K位的鐵電存儲器FRAM產品,所有的FRAM產品均由Ramtron公司制造或授權。FRAM有新的發(fā)展,采用了um工藝,推出了3V產品,開發(fā)出“單管單容”存儲單元的FRAM,很大密度可達256K位。首先要說明的是鐵電存儲器和浮動柵存儲器的技術差異?，F有閃存和EEPROM都是采用浮動柵技術,浮動柵存儲單元包含一個電隔離門,浮動柵位于標準控制柵的下面及通道層的上面。浮動柵是由一個導電材料,通常是多芯片硅層形成的(如圖2所示)。浮動柵存儲單元的信息存儲是通過保存浮動柵內的電荷而完成的。利用改變浮動柵存儲單元的電壓就能達到電荷添加或擦除的動作,從而確定存儲單元是在”1”或“0”的狀態(tài)。但是浮動柵技術需使用電荷泵來產生高電壓,迫使電流通過柵氧化層而達到擦除的功能,因此需要5-10ms的擦寫延遲。高寫入功率和長期的寫操作會破壞浮動柵存儲單元,從而造成有限的擦寫存儲次數（例如：閃存約十萬次,而EEPROM則約1百萬次)。鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT)材料形成存儲器結晶體,如圖3所示。當一個電場被施加到鐵晶體管時。上?？刹量删幊讨蛔x存儲器

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