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相城區(qū)加工可控硅模塊聯(lián)系方式

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-11

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述,小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個(gè)電極,用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱TRIAC。相城區(qū)加工可控硅模塊聯(lián)系方式

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二者比較單向可控硅和雙向可控硅,都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極(K)、陽(yáng)極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相關(guān)連,其引出端稱T1極,其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。單、雙向可控硅的判別先任測(cè)兩個(gè)極,若正、反測(cè)指針均不動(dòng)(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對(duì)單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對(duì)雙向可控硅)。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。吳江區(qū)好的可控硅模塊聯(lián)系方式小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。

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從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路, 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,具有強(qiáng)烈的正反反饋?zhàn)饔?。一旦?G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,由于正反饋?zhàn)饔茫瑑晒軐⒀讣催M(jìn)入飽合導(dǎo)通狀態(tài)??煽毓鑼?dǎo)通之后,它的導(dǎo)通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋?zhàn)饔脕?lái)維持,即使控制電流(電壓)消失,可控硅仍處于導(dǎo)通 狀態(tài)。控制信號(hào) UGK 的作用**是觸發(fā)可控硅使其導(dǎo)通,導(dǎo)通之后,控制信號(hào)便失去控制 作用。單向可控硅的導(dǎo)通需要兩個(gè)條件:1) A、K 之間加正向電壓;2) G、K 之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電流信號(hào),無(wú)論是直流或脈沖信號(hào)。

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是,如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導(dǎo)通。控制極的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。那么,用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,可以斷開(kāi)陽(yáng)極電源(圖3中的開(kāi)關(guān)S)或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的**小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,那么,在電壓過(guò)零時(shí),晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。

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大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱晶閘管T,又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。接通電源開(kāi)關(guān)S,按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。高新區(qū)加工可控硅模塊量大從優(yōu)

控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。相城區(qū)加工可控硅模塊聯(lián)系方式

可控硅導(dǎo)通條件:一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備,可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外,可控硅一旦導(dǎo)通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件:降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的正向電壓,使陽(yáng)極電流小于**小維持電流以下。單向可控硅為具有三個(gè) PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),由**外層的 P 層、N 層引出兩個(gè)電極――陽(yáng) 極 A 和陰極 K,由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號(hào)好像為一只二極管,但好多一個(gè)引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。相城區(qū)加工可控硅模塊聯(lián)系方式

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