這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結（a），相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。相城區(qū)本地可控硅模塊工廠直銷

這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導通狀態(tài)。晶閘管特點“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那么，用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關S）或使陽極電流小于維持導通的最小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。相城區(qū)本地可控硅模塊工廠直銷不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述，小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N，螺旋式的應用較多?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。

若欲使可控硅關斷，也有兩個關斷條件：1） 使正向導通電流值小于其工作維持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向?？梢?，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關斷。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個觸發(fā)信號，則一直保持導通，直到電壓過零點到 來，因無流通電流而自行關斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號，可控硅也因 A、 K 間電壓反向，而保持于截止狀態(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導通壓降，很難有統(tǒng)一的標準?？煽毓杵骷刂票举|上如同三極管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發(fā)電流也 越大。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。吳江區(qū)使用可控硅模塊現價

小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A。相城區(qū)本地可控硅模塊工廠直銷

功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據封裝的元器件的不同實現不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率mosfet，常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic，常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材，能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip，簡寫psoc)，它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負載要求精密調節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能。國際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學**。相城區(qū)本地可控硅模塊工廠直銷

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