可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關(guān)與接觸器的選型無功補(bǔ)償中一個重要器件就是電容器投切開關(guān)。早期多采用的是接觸器，隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關(guān)，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴(yán)重時(shí)，會發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器，在無功負(fù)荷動搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運(yùn)用壽命短，需求經(jīng)常停止檢修的問題。一般使用于負(fù)荷穩(wěn)定，投切次數(shù)較少的場合?？煽毓柰肚虚_關(guān)，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對電網(wǎng)無沖擊，反響速度快等特性，會產(chǎn)生很高的溫升，需求運(yùn)用**散熱器，來處理其通風(fēng)散熱問題，一般應(yīng)用于負(fù)荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣（常州）有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關(guān)生產(chǎn)供應(yīng)廠商，嚴(yán)格把控產(chǎn)品細(xì)節(jié)，努力為客戶提供完善的服務(wù)。我司**產(chǎn)品主要包含德國進(jìn)口可控硅、可控硅觸發(fā)模塊（自主研發(fā)）、溫控開關(guān)、鋁合金散熱器、冷卻風(fēng)機(jī)等，能實(shí)現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護(hù)的功能，可提高可控硅的運(yùn)行穩(wěn)定性。正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！MTDC200晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

    普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件，三個引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向?qū)щ姷男阅?，其?nèi)部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當(dāng)晶閘管反向連接（即A極接電源負(fù)端，K極接電源正端）時(shí)，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負(fù)端）時(shí)，若門極G所加觸發(fā)電壓為負(fù)時(shí)，則晶閘管也不導(dǎo)通，只有其門極G加上適當(dāng)?shù)恼蛴|發(fā)電壓時(shí)，晶閘管才能由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，A、K極之間壓降約為1V。普通晶閘管受觸發(fā)導(dǎo)通后，其門極G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，晶閘管將維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓撤除或陽極A、陰極K之間電壓極性發(fā)生改變（如交流過零）時(shí)，普通晶閘管才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻阻斷狀態(tài)。普通晶閘管一旦阻斷，即使其陽極A與陰極K之間又重新加上正向電壓，仍需在門極G和陰極K之間重新加上正向觸發(fā)電壓后方可導(dǎo)通。普通晶閘管的導(dǎo)通與阻斷狀態(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合和斷開狀態(tài)。濱州MTAC75晶閘管智能模塊價(jià)格正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品，完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)！

晶閘管模塊常用的保護(hù)措施

① 過電流保護(hù)

過流保護(hù)一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對于短路引起的過流保護(hù)效果很好，對于一般性的過流并不能起到很好的保護(hù)效果，因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護(hù)功能的模塊或具有過流保護(hù)功能的控制板。

②過電壓保護(hù)

模塊的過壓保護(hù)，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可，反并聯(lián)芯片可共用一組。

晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

晶閘管智能模塊普遍應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、焊機(jī)、等離子弧焊、逆變電源等領(lǐng)域，如工業(yè)、通訊、等電氣控制、電源等。根據(jù)模塊的控制端口，可以與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，可實(shí)現(xiàn)過熱、缺乏等保護(hù)功能。

晶閘管智能模塊的控制方式

該輸入模塊控制該接口的可調(diào)節(jié)電壓或電流信號，該模塊的輸出電壓可通過調(diào)整該信號的大小來平穩(wěn)地調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個或全部的過程。

電壓或電流信號可從各種控制儀表和計(jì)算機(jī)D/A輸出中獲取，電位器可直接與直流電源分開，控制信號采用3種常用的控制形式：0-5V、0-10V、4-20mA。

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    QXPU-1型恒功率晶閘管中頻電源控制板使用說明書小芯片六脈波1、概述QXPU-1恒功率晶閘管中頻電源控制板主要由電源、調(diào)節(jié)器、移相控制、保護(hù)電路、相序自適應(yīng)電路、啟動演算電路、逆變頻率、逆變脈沖形成、脈沖放大及脈沖變壓器組成。其部件采用高性能、高密度、大規(guī)模**MPU集成電路，使其電路除調(diào)節(jié)器外，其余均實(shí)現(xiàn)數(shù)字化，整流觸發(fā)器部分不需要任何調(diào)整，具有可靠性高、脈沖對稱度高、抗干擾能力強(qiáng)、反應(yīng)速度快等特點(diǎn)，又由于有相序自適應(yīng)電路，無需同步變壓器，所以，現(xiàn)場調(diào)試中免去了調(diào)相序、對同步的工作，*需把KP晶閘管的門極線接入控制板相應(yīng)的接線端上，整流部分便能投入運(yùn)行。逆變采用掃頻式零壓軟啟動方式，啟動性能優(yōu)于普通的零壓軟啟動電路。并設(shè)有自動重復(fù)啟動電路，可防止中頻電源偶爾的啟動失敗，使啟動成功率達(dá)到。頻率電路采用的是平均值取樣方案，提高了逆變的抗干擾能力，而且*需取樣中頻電壓信號，而無需槽路電容器的電流信號，免去了外接中頻電流互感器、確定取樣電流相位的煩惱。因此，在調(diào)試和使用現(xiàn)場中，也不會由于中頻輸出線或取樣電流互感器的相位接反，而產(chǎn)生中頻電源不能啟動的問題。逆變電路中還加有逆變角調(diào)節(jié)電路。正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。MTDC200晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

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    按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時(shí)，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%]，反之如果改為采用水冷時(shí)，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機(jī)，我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態(tài)下，環(huán)境溫度為40℃時(shí)所需的散熱器長度、風(fēng)機(jī)規(guī)格、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等，請參考表11～12。另外，我們在表內(nèi)出具了每個型號的模塊在峰值壓降、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時(shí)做參考。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。（2）若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作，可酌減散熱器長度。（3）在設(shè)備開機(jī)前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固，若有松動，應(yīng)擰緊螺釘，以使模塊底板與散熱器表面以及模塊電極與接線端子之間都能夠緊密接觸，達(dá)到比較好散熱效果。（4）采用自然冷卻形式時(shí)，必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對流。（5）因水冷散熱效果好，有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱形式。MTDC200晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

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