MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來,經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片,再在芯片的兩端封上金屬層(外電極),從而形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體,故也叫獨(dú)石電容器??梢钥吹?,內(nèi)部電極通過一層層疊起來,來增大電容兩極板的面積,從而增大電容量。陶瓷介質(zhì)即為內(nèi)部填充介質(zhì),不同的介質(zhì)做成的電容器的特性不同,有容量大的,有溫度特性好的,有頻率特性好的等等,這也是為什么陶瓷電容有這么多種類的原因。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展,就在9月10-12日,深圳會(huì)展中心(福田)2號(hào)館!關(guān)稅直降115%激發(fā)訂單回補(bǔ)潮!2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展助陣企業(yè)直達(dá)海外市場(chǎng)!9月10-12日華東國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)展
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的**材料,憑借其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高導(dǎo)熱性和高耐溫性,在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。2024年,國(guó)內(nèi)SiC襯底和外延市場(chǎng)經(jīng)歷了價(jià)格劇烈波動(dòng)與產(chǎn)能大幅擴(kuò)張,尤其是6英寸SiC襯底價(jià)格已逼近成本線,而8英寸技術(shù)的突破也在加速推進(jìn)。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,價(jià)格下跌的主要驅(qū)動(dòng)力來自下游市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng),同時(shí)國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商的競(jìng)爭(zhēng)加劇也加速了價(jià)格下降。展望2025年,SiC市場(chǎng)將迎來行業(yè)洗牌,技術(shù)實(shí)力、資金儲(chǔ)備以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力將決定企業(yè)的生存空間。隨著價(jià)格趨于穩(wěn)定,行業(yè)將進(jìn)入高質(zhì)量發(fā)展階段,形成更成熟的競(jìng)爭(zhēng)格局。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展!9月10日至12日華東區(qū)國(guó)際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)國(guó)產(chǎn)替代:熱界面材料供需分析與國(guó)產(chǎn)化,了解熱界面材料,就在9月華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展!
先進(jìn)陶瓷作為現(xiàn)代材料科學(xué)的關(guān)鍵領(lǐng)域,正以其優(yōu)異的物理化學(xué)性能重塑多個(gè)產(chǎn)業(yè)格局。這類材料以高純度人工合成原料與精密工藝為基礎(chǔ),構(gòu)建起結(jié)構(gòu)陶瓷與功能陶瓷兩大體系。結(jié)構(gòu)陶瓷如氮化硅(Si?N?)和碳化硅(SiC),通過C纖維增強(qiáng)技術(shù)使斷裂韌性提升5倍,在1400℃高溫下仍保持500-600MPa的彎曲強(qiáng)度,廣泛應(yīng)用于航空航天發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件與半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備。功能陶瓷中的氮化鋁(AlN)基板,憑借170-260W/m?K的熱導(dǎo)率與低至4.5×10??/℃的熱膨脹系數(shù),成為5G基站與新能源汽車電控系統(tǒng)的散熱理想之選。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展參觀!
一些氧化物陶瓷,如Al2O3、ZrO2、云母微晶玻璃陶瓷,由于其良好的生物相容性、化學(xué)穩(wěn)定性、耐磨性及強(qiáng)度匹配性,因此自二十世紀(jì)七十年代以來一直作為生物陶瓷大量使用。例如用作人工關(guān)節(jié)、人工骨螺釘、人工中耳骨、牙科移植物等。特別是具有**度、高韌性、耐磨損的Al2O3基復(fù)合陶瓷材料,作為人工髖關(guān)節(jié)和膝關(guān)節(jié)等生物陶瓷在國(guó)際上得到普遍使用。Al2O3陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能。主要包括:(a)硬度高(莫氏硬度為9)、耐磨性好;(b)良好的機(jī)械強(qiáng)度,抗彎強(qiáng)度通??蛇_(dá)300~500MPa;(c)耐熱性能優(yōu)異(連續(xù)使用溫度可達(dá)1000℃以上);(d)電阻率高,電絕緣性能好,特別是具有優(yōu)異的高溫絕緣性和抗電壓擊穿性能,常溫電阻率1015Ω?cm,絕緣強(qiáng)度15kv/mm以上;(e)化學(xué)穩(wěn)定性好,硫酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸都不與Al2O3作用,許多復(fù)合的硫化物、磷化物、氯化物、氮化物、溴化物也不與Al2O3反應(yīng);(f)耐高溫腐蝕性好,能較好地抵抗Be,Sr,Ni,Al,V,Ta,Mn,F(xiàn)e,Co等熔融金屬的侵蝕,對(duì)NaOH、玻璃、爐渣的侵蝕也有很高的抵抗能力;(g)透光性,可制成透明和半透明材料。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷誠(chéng)邀您參展觀展!精密制造盛宴,搶占產(chǎn)業(yè)升級(jí)先機(jī)!就在2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展9月10日深圳會(huì)展中心2號(hào)館(福田)!
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,先進(jìn)封裝作為后摩爾時(shí)代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢(shì),正日益受到***關(guān)注。受益于AI、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等下游強(qiáng)勁需求,半導(dǎo)體封裝朝著多功能、小型化、便攜式的方向發(fā)展,先進(jìn)封裝市場(chǎng)有望加速滲透。據(jù)Yole的數(shù)據(jù),全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2023年的378億美元增長(zhǎng)至2029年的695億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)到10.7%。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片,然后對(duì)芯片進(jìn)行封裝;而晶圓級(jí)封裝則是先在晶圓上進(jìn)行部分或全部封裝,之后再將其切割成單件。晶圓級(jí)封裝方法能夠進(jìn)一步細(xì)分為以下四種不同類型:其一,晶圓級(jí)芯片封裝(WLCSP),能夠直接在晶圓的頂部形成導(dǎo)線和錫球(SolderBalls),且無需基板。其二,重新分配層(RDL),運(yùn)用晶圓級(jí)工藝對(duì)芯片上的焊盤位置進(jìn)行重新排列,焊盤與外部通過電氣連接的方式相連接。其三,倒片(FlipChip)封裝,在晶圓上形成焊接凸點(diǎn),以此來完成封裝工藝。其四,硅通孔(TSV)封裝,借助硅通孔技術(shù),在堆疊芯片的內(nèi)部實(shí)現(xiàn)內(nèi)部連接。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展!共繪產(chǎn)業(yè)藍(lán)圖,智啟未來新篇!就在9月10-12日,深圳福田會(huì)展中心,華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展!9月10日-12日上海市國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)
先進(jìn)氧化鋁陶瓷材料的燒結(jié)技術(shù),來9月華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展,掌握新興的陶瓷燒結(jié)技術(shù)!9月10-12日華東國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)展
碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其***的物理性能,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、光伏、智能電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。當(dāng)前,碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)正快速發(fā)展,并逐漸成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**技術(shù)之一。目前,碳化硅襯底廠商正在經(jīng)歷從6英寸到8英寸襯底的技術(shù)過渡。6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)相對(duì)成熟,但其生產(chǎn)成本較高,價(jià)格已大幅下降至2500-2800元(較2023年初下降超過40%)。與此相比,8英寸襯底技術(shù)的研發(fā)仍處于小批量生產(chǎn)階段,且受限于良率和均勻性等問題,價(jià)格仍維持在8000-10000元之間。隨著競(jìng)爭(zhēng)的加劇,許多中小型襯底廠商采取低價(jià)策略來爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額,這導(dǎo)致了嚴(yán)重的“內(nèi)卷”,有可能出現(xiàn)低質(zhì)量的襯底產(chǎn)品,進(jìn)而影響下游應(yīng)用廠商的產(chǎn)品質(zhì)量與體驗(yàn)。長(zhǎng)期低于成本的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)可能使一些襯底廠商面臨資金鏈斷裂的風(fēng)險(xiǎn),甚至導(dǎo)致破產(chǎn)清算。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展!9月10-12日華東國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)展