超聲波清洗工藝中，清洗劑粘度對(duì)空化效應(yīng)的影響呈現(xiàn)明顯規(guī)律性。粘度較低時(shí)，液體流動(dòng)性好，超聲波傳播阻力小，易形成大量均勻的空化氣泡，氣泡破裂時(shí)產(chǎn)生的沖擊力強(qiáng)，空化效應(yīng)明顯，能高效剝離污染物；隨著粘度升高，液體分子間內(nèi)聚力增大，超聲波能量衰減加快，空化氣泡生成數(shù)量減少，且氣泡尺寸不均，破裂時(shí)釋放的能量減弱，空化效應(yīng)隨之降低。當(dāng)粘度超過(guò)一定閾值（通常大于 50mPa?s），液體難以被 “撕裂” 形成空化氣泡，空化效應(yīng)幾乎消失，清洗力大幅下降。此外，高粘度清洗劑還會(huì)阻礙氣泡運(yùn)動(dòng)，使空化區(qū)域集中在液面附近，無(wú)法深入清洗件縫隙。因此，超聲波清洗需選擇低粘度清洗劑（一般控制在 1-10mPa?s），并通過(guò)溫度調(diào)節(jié)（適當(dāng)升溫降低粘度）優(yōu)化空化效應(yīng)，平衡清洗效率與效果。高性價(jià)比 Micro LED 清洗劑，以更低成本實(shí)現(xiàn)更好品質(zhì)清潔?；葜莪h(huán)保功率電子清洗劑廠家

功率電子清洗劑的離子殘留量超過(guò) 1μg/cm2 會(huì)明顯影響模塊的絕緣耐壓性能。殘留離子（如 Na?、Cl?、SO?2?等）具有導(dǎo)電性，在模塊工作時(shí)會(huì)形成離子遷移通道，尤其在高濕度環(huán)境（相對(duì)濕度 > 60%）或溫度波動(dòng)（-40~125℃）下，離子會(huì)隨水汽擴(kuò)散，降低絕緣層表面電阻（從 1012Ω 降至 10?Ω 以下）。當(dāng)殘留量達(dá) 1μg/cm2 時(shí)，模塊爬電距離間的泄漏電流增加 5-10 倍，在 1kV 耐壓測(cè)試中易出現(xiàn)局部放電（放電量 > 10pC）；若超過(guò) 3μg/cm2，長(zhǎng)期工作后可能引發(fā)沿面閃絡(luò)，絕緣耐壓值下降 20%-30%（如從 4kV 降至 2.8kV 以下）。此外，離子殘留會(huì)加速電化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致金屬化層腐蝕（如銅遷移），進(jìn)一步破壞絕緣結(jié)構(gòu)。對(duì)于高頻功率模塊（如 IGBT、SiC 模塊），離子殘留還會(huì)增加介損（tanδ 從 0.001 升至 0.01 以上），引發(fā)局部過(guò)熱。因此，行業(yè)通常要求清洗劑離子殘留量≤0.1μg/cm2，超過(guò) 1μg/cm2 時(shí)必須返工清洗，否則將明顯降低模塊絕緣可靠性和使用壽命。廣東濃縮型水基功率電子清洗劑經(jīng)銷商這款清洗劑安全可靠，經(jīng)多輪嚴(yán)苛測(cè)試，使用無(wú)憂，值得信賴。

清洗 SiC 芯片時(shí)，清洗劑 pH 值超過(guò) 9 可能損傷表面金屬化層，具體取決于金屬化材料及暴露時(shí)間。SiC 芯片常用金屬化層為鈦（Ti）、鎳（Ni）、金（Au）等多層結(jié)構(gòu)，其中鈦和鎳在堿性條件下穩(wěn)定性較差：pH>9 時(shí)，OH?會(huì)與鈦反應(yīng)生成可溶性鈦酸鹽（如 Na?TiO?），導(dǎo)致鈦層溶解（腐蝕速率隨 pH 升高而加快，pH=10 時(shí)溶解率是 pH=8 時(shí)的 5 倍以上）；鎳則會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng)（Ni + 2OH? → Ni (OH)? + 2e?），形成疏松的氫氧化鎳膜，破壞金屬化層連續(xù)性。金雖耐堿性較強(qiáng)，但高 pH 值（>11）會(huì)加速其底層鈦 / 鎳的腐蝕，導(dǎo)致金層剝離。實(shí)驗(yàn)顯示：pH=9.5 的清洗劑處理 SiC 芯片 3 分鐘后，鈦層厚度減少 10%-15%，金屬化層導(dǎo)電性下降 8%-12%；若延長(zhǎng)至 10 分鐘，可能出現(xiàn)局部露底（SiC 基底暴露）。因此，清洗 SiC 芯片的清洗劑 pH 值建議控制在 6.5-8.5，若需堿性條件，應(yīng)限制 pH≤9 并縮短清洗時(shí)間（<2 分鐘），同時(shí)添加金屬緩蝕劑（如苯并三氮唑）降低腐蝕風(fēng)險(xiǎn)。

功率電子模塊清洗劑能有效去除SiC芯片表面的焊膏殘留，但需根據(jù)焊膏成分和芯片特性選擇合適類型及工藝。SiC芯片表面的焊膏殘留多為無(wú)鉛焊膏（如SnAgCu）的助焊劑（松香基或水溶性）與焊錫顆粒，其去除難點(diǎn)在于芯片邊緣、鍵合區(qū)等細(xì)微縫隙的殘留附著。溶劑型清洗劑（如改性醇醚、碳?xì)淙軇?duì)松香基助焊劑溶解力強(qiáng)，可快速滲透至SiC芯片與基板的間隙，配合超聲波（30-40kHz）能剝離焊錫顆粒，適合重度殘留。水基清洗劑含表面活性劑與螯合劑，對(duì)水溶性助焊劑及焊錫氧化物的去除效果更優(yōu)，且對(duì)SiC芯片的陶瓷層無(wú)腐蝕風(fēng)險(xiǎn)，適合輕中度殘留。需注意：SiC芯片的金屬化層（如Ti/Ni/Ag）若暴露，需避免強(qiáng)酸性清洗劑（pH＜5），以防腐蝕；清洗后需經(jīng)去離子水漂洗（電導(dǎo)率≤10μS/cm）并真空干燥（80-100℃），防止殘留影響鍵合可靠性。合格清洗劑在優(yōu)化工藝下，可將焊膏殘留控制在IPC標(biāo)準(zhǔn)的5μg/cm2以下，滿足SiC模塊的精密裝配要求。獨(dú)特的乳化配方，使油污快速乳化脫離模塊表面。

批量清洗功率模塊時(shí)，清洗劑的更換周期需結(jié)合清洗劑類型、污染程度及檢測(cè)結(jié)果綜合判定，無(wú)固定時(shí)間但需通過(guò)監(jiān)控確保離子殘留不超標(biāo)。溶劑型清洗劑（如電子級(jí)異構(gòu)烷烴）因揮發(fā)后殘留低，主要受污染物積累影響，通常每清洗 800-1200 件模塊或連續(xù)使用 48 小時(shí)后，需檢測(cè)清洗劑中離子濃度（用離子色譜測(cè) Cl?、Na?等，總離子 > 10ppm 時(shí)更換）；水基清洗劑因易溶解污染物，更換更頻繁，每清洗 300-500 件或 24 小時(shí)后檢測(cè)，若清洗后模塊離子殘留超 0.1μg/cm2（用萃取法 + 電導(dǎo)儀測(cè)定），需立即更換。此外，若清洗后模塊出現(xiàn)白斑、絕緣耐壓下降（較初始值降 5% 以上），即使未達(dá)上述閾值也需更換。實(shí)際生產(chǎn)中建議搭配在線監(jiān)測(cè)（如實(shí)時(shí)電導(dǎo)儀），結(jié)合定期抽檢（每批次取 3-5 件測(cè)殘留），動(dòng)態(tài)調(diào)整更換周期，可兼顧清洗效果與成本?？焖贊B透，迅速瓦解油污，清洗效率同行?；葜莪h(huán)保功率電子清洗劑廠家

適配自動(dòng)化清洗設(shè)備，微米級(jí)顆粒污垢一次去除?；葜莪h(huán)保功率電子清洗劑廠家

    清洗功率電子器件時(shí)，清洗劑的溫度對(duì)效率提升作用明顯，且存在明確的比較好區(qū)間。溫度升高能增強(qiáng)清洗劑中活性成分（如表面活性劑、溶劑分子）的運(yùn)動(dòng)速率，加速對(duì)助焊劑殘留、油污等污染物的滲透與溶解，實(shí)驗(yàn)顯示，當(dāng)溫度從25℃升至50℃時(shí)，去污率可提升30%-40%，尤其對(duì)高溫碳化的焊錫膏殘留效果明顯。但并非溫度越高越好，超過(guò)60℃后，水基清洗劑可能因表面活性劑失效導(dǎo)致泡沫過(guò)多，反而降低清洗效果；溶劑型清洗劑則可能因揮發(fā)速度過(guò)快（超過(guò)20g/h），未充分作用就流失，還會(huì)增加VOCs排放。綜合來(lái)看，比較好溫度區(qū)間為40-55℃，此時(shí)水基清洗劑的表面活性達(dá)到峰值，溶劑型的溶解力與揮發(fā)速度平衡，對(duì)IGBT模塊、驅(qū)動(dòng)板等器件的清洗效率比較高（單批次清洗時(shí)間縮短15-20分鐘），且不會(huì)對(duì)塑料封裝、金屬引腳造成熱損傷（材質(zhì)耐溫通?！?0℃），能兼顧效率與安全性。 惠州環(huán)保功率電子清洗劑廠家