2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路，保護柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動電路應(yīng)與整個控制電路在電位上嚴格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。傳感器驅(qū)動：驅(qū)動電路可以將傳感器檢測到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號，例如溫度傳感器、壓力傳感器等。寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路圖片

門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -嘉定區(qū)好的驅(qū)動電路設(shè)計驅(qū)動電路是用于控制和驅(qū)動其他電路或設(shè)備的電路。

實現(xiàn)電氣隔離：在需要電氣隔離的應(yīng)用中，驅(qū)動電路通過光耦、變壓器等隔離器件，將輸入信號與輸出信號隔離開來，提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅(qū)動電路的分類按功率器件的接地類型分類：直接接地驅(qū)動：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅(qū)動以及圖騰柱驅(qū)動等。浮動接地驅(qū)動：功率器件接地端電位會隨電路狀態(tài)變化而浮動，典型的為自舉驅(qū)動電路。按電路結(jié)構(gòu)分類：隔離型驅(qū)動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動電路。

文中設(shè)計的電路利用RC充放電電路來實現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動電路框圖。維持電流補償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時，維持電流補償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時，維持電流補償電路關(guān)斷，維持電流補償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實驗中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器，其**小導(dǎo)通角約為30°。負載特性：了解負載的電流、電壓和功率要求。

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。LED驅(qū)動電路：專門設(shè)計用于驅(qū)動LED，通常包括恒流源電路，以確保LED在安全的電流范圍內(nèi)工作。寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路圖片

MOSFET驅(qū)動：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動電壓范圍一般在-10~20V之間。寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路圖片

“驅(qū)動”這個詞在中文中有多種含義，具體取決于上下文。以下是一些常見的解釋：物理意義：指推動或驅(qū)使某物運動的力量或機制。例如，汽車的發(fā)動機驅(qū)動汽車前進。技術(shù)意義：在計算機領(lǐng)域，驅(qū)動程序（Driver）是指一種軟件，它使操作系統(tǒng)能夠與硬件設(shè)備進行通信。例如，打印機驅(qū)動程序使計算機能夠識別和使用打印機。心理或情感意義：可以指推動一個人采取行動的內(nèi)在動力或外部激勵。例如，個人的職業(yè)發(fā)展可能受到內(nèi)在驅(qū)動（如興趣、目標）和外部驅(qū)動（如薪水、晉升機會）的影響。寶山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路圖片

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在上海市等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結(jié)果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同祥盛芯城供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！