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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-25

光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視,但是光刻膠都是作為層被去掉的,如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問(wèn)題,但是很重要,直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問(wèn)題,比如正膠和負(fù)膠去除需要的工藝有差別。去膠工藝還和光刻膠受過(guò)什么樣的工藝處理有關(guān),比如ICPRIE之后的光刻膠、還有濕法腐蝕后的光刻膠。市面上針對(duì)光刻膠去除的特殊配方的去膠液有很多種,但需要根據(jù)自身產(chǎn)品特性加以選擇。在做砷化鎵去除光阻的案例,砷化鎵是一種化合物半導(dǎo)體材料,分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結(jié)構(gòu),即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構(gòu)而成的復(fù)式晶格,其晶格常數(shù)是。室溫下禁帶寬度,是直接帶隙半導(dǎo)體,熔點(diǎn)1238℃,質(zhì)量密度,電容率。在其中摻入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si,可獲得N型半導(dǎo)體,摻入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半導(dǎo)體,摻入Cr或提高純度可制成電阻率高達(dá)107~108Ω·cm的半絕緣材料。溶劑型剝離液哪里可以購(gòu)買(mǎi)?銅陵中芯國(guó)際用剝離液銷(xiāo)售價(jià)格

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù):光刻膠是一大類(lèi)具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料,是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱(chēng)為光致抗蝕劑、光阻等,其作用是作為抗刻蝕層保護(hù)襯底表面。光刻膠廣泛應(yīng)用于集成電路(ic)、封裝(packaging)、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)、光電子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板顯示其(led、lcd、oled)和太陽(yáng)能光伏(solarpv)等領(lǐng)域。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,離子注入層光刻膠(參考圖2)在經(jīng)過(guò)高劑量或大分子量的源種注入后(參考圖3),會(huì)在光刻膠的外層形成一層硬殼(參考圖4)本發(fā)明命名為主要光刻膠層?,F(xiàn)有的離子注入層光刻膠在經(jīng)過(guò)氧氣灰化干法剝離時(shí),由于等離子氧與光刻膠反應(yīng)速率很高,會(huì)有一部分等離子氧先穿透主要光刻膠層到達(dá)第二光刻膠層,在與第二光刻膠層反應(yīng)后在內(nèi)部產(chǎn)生大量氣體,第二層光刻膠膨脹(參考圖5),主要光刻膠層終因承受不住內(nèi)層巨大的氣壓而爆裂,爆裂的光刻膠有一定的概率掉落在臨近的光刻膠上(參考圖6),導(dǎo)致此交疊的光刻膠不能法剝離干凈。在經(jīng)過(guò)后續(xù)批作業(yè)的濕法剝離后會(huì)產(chǎn)生殘余物。東莞中芯國(guó)際用剝離液哪里買(mǎi)剝離液的使用方法和條件;

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隨著電子元器件制作要求的提高,相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢(shì),并規(guī)范世界超凈高純?cè)噭┑臉?biāo)準(zhǔn),國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個(gè)數(shù)和應(yīng)用范圍等指標(biāo)制定國(guó)際等級(jí)分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)。濕電子化學(xué)品在各應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)有所不同,光伏太陽(yáng)能電池領(lǐng)域一般只需要G1級(jí)水平;平板顯示和LED領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W(xué)品的等級(jí)要求為G2、G3水平;半導(dǎo)體領(lǐng)域中,集成電路用濕電子化學(xué)品的純度要求較高,基本集中在G3、G4水平,分立器件對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求低于集成電路,基本集中在G2級(jí)水平。一般認(rèn)為,產(chǎn)生集成電路斷絲、短路等物理性故障的雜質(zhì)分子大小為**小線寬的1/10。因此隨著集成電路電線寬的尺寸減少,對(duì)工藝中所需的濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。從技術(shù)趨勢(shì)上看,滿足納米級(jí)集成電路加工需求是超凈高純?cè)噭┙窈蟀l(fā)展方向之一。

圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二,其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三,其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四,其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五,其顯示光刻膠炸裂到臨近光刻膠。圖7是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖六,其顯示光刻膠去除殘留。圖8是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖一,其顯示首先剝離去除主要光刻膠層。圖9是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖二,其顯示逐步剝離去除第二光刻膠層的中間過(guò)程。圖10是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖三,其顯示完全去除光刻膠后的襯底。圖11是采用現(xiàn)有技術(shù)剝離去除光刻膠殘留缺陷示意圖。圖12是采用本發(fā)明剝離去除光刻膠殘留缺陷示意圖。具體實(shí)施方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的內(nèi)容充分地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與技術(shù)效果。本發(fā)明還可以通過(guò)不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用,本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)加以應(yīng)用,在沒(méi)有背離發(fā)明總的設(shè)計(jì)思路下進(jìn)行各種修飾或改變。需說(shuō)明的是,在不的情況下,以下實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。剝離液使用時(shí)要注意什么?

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1.顯影液:顯影液是一種溶液,用于在PCB板上顯示銅線軌道的比例和位置,使其成為可以用于焊接元件的良好的PCB板。2.剝離液:剝離液是一種特殊的溶劑,用于將PCB板上的銅線軌道剝離開(kāi),以便重新焊接元件。3.蝕刻液:蝕刻液是一種酸性溶液,用于將PCB板上的銅線軌道腐蝕掉,以便重新焊接元件。4.清洗液:清洗液是一種混合物,用于將PCB板上的塵埃、污垢和其他殘留物消除干凈,以便進(jìn)行焊接和裝配。1.顯影液:是指用于顯影制版的液體,一般由溶劑、硫酸銅、有機(jī)酸和抗氧化劑等組成。2.剝離液:是指用于把制版上的顯影膜剝離出來(lái)的液體,一般由硝酸鋁、硫酸鈉等組成。3.蝕刻液:是指用于蝕刻制版的液體,一般由硝酸銅、硝酸鈉、硝酸鋅等組成。4.清洗液:是指用于清洗制版的液體,一般由水、硝酸、硫酸、乙醇等組成。剝離液可以實(shí)現(xiàn)光刻膠的剝離;東莞中芯國(guó)際用剝離液哪里買(mǎi)

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所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級(jí)過(guò)濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級(jí)過(guò)濾罐16和二級(jí)過(guò)濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。本實(shí)施例中,所述一級(jí)過(guò)濾罐16和二級(jí)過(guò)濾罐13的結(jié)構(gòu)相同,以一級(jí)過(guò)濾罐16為例,由外殼1601、懸設(shè)于外殼1601內(nèi)的過(guò)濾筒、扣裝于過(guò)濾筒頂部的壓蓋1602組成。所述壓蓋1602中心設(shè)有對(duì)應(yīng)進(jìn)料管路15的通孔。所述過(guò)濾筒由均勻布設(shè)多孔1606的支撐筒體1605、設(shè)于支撐筒體1605內(nèi)表面的金屬濾網(wǎng)1604、設(shè)于金屬濾網(wǎng)1604表面的纖維濾布1603組成。所述支撐筒體1605的上沿伸出外殼1601頂部并利用水平翻邊支撐于外殼1601上表面,所述金屬濾網(wǎng)1604的上沿設(shè)有與支撐筒體1605的水平翻邊扣合的定位翻邊。所述支撐筒體1605的底面為向筒體內(nèi)側(cè)凹陷的錐面1607,增加了過(guò)濾面積,提高了過(guò)濾效率。所述攪拌釜10設(shè)有ph計(jì)(圖中省略),用于檢測(cè)溶液ph值。攪拌釜10由釜體8、設(shè)于釜體8頂部的攪拌電機(jī)4、與攪拌電機(jī)4連接的攪拌桿11、設(shè)于攪拌桿11末端的攪拌槳12組成,所述攪拌槳12為u字形,釜體8外表面設(shè)有調(diào)溫水套9。工作過(guò)程:1、先向攪拌釜10內(nèi)投入光刻膠廢剝離液,再向釜內(nèi)輸入高純水,兩者在攪拌釜10內(nèi)攪拌均勻。銅陵中芯國(guó)際用剝離液銷(xiāo)售價(jià)格