DDR5發(fā)送端測(cè)試隨著信號(hào)速率的提升，SerDes技術(shù)開(kāi)始在DDR5中采用，如會(huì)采用DFE均衡器改善接收誤碼率，另外DDR總線在發(fā)展過(guò)程中引入訓(xùn)練機(jī)制，不再是簡(jiǎn)單的要求信號(hào)間的建立保持時(shí)間，在DDR4的時(shí)始使用眼圖的概念，在DDR5時(shí)代，引入抖動(dòng)成分概念，從成因上區(qū)分解Rj，Dj等，對(duì)芯片或系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更具體的依據(jù)；在抖動(dòng)的參數(shù)分析上，也增加了一些新的抖動(dòng)定義參數(shù)，并有嚴(yán)苛的測(cè)量指標(biāo)。針對(duì)這些要求，提供了完整的解決方案。UXR示波器，配合D9050DDRC發(fā)射機(jī)一致性軟件，及高阻RC探頭MX0023A，及Interposer，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR信號(hào)的精確表征。主流DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的比較；北京DDR測(cè)試規(guī)格尺寸

DDR測(cè)試DDR/LPDDR簡(jiǎn)介目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中，存儲(chǔ)器是必不可少的。常用的存儲(chǔ)器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲(chǔ)器速度較慢，主要用于存儲(chǔ)程序代碼、文件以及長(zhǎng)久的數(shù)據(jù)信息等；另一種是易失性的，即掉電會(huì)丟失數(shù)據(jù)，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存儲(chǔ)器),這種存儲(chǔ)器運(yùn)行速度較快，主要用于程序運(yùn)行時(shí)的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲(chǔ)器類型的劃分北京DDR測(cè)試規(guī)格尺寸DDR測(cè)試眼圖測(cè)試時(shí)序測(cè)試抖動(dòng)測(cè)試；

對(duì)于DDR2-800，這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用，只是有少許的差別。然而，也是知道的，菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢(shì)的。對(duì)于超過(guò)兩片的SDRAM，通常，是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計(jì)。然而，對(duì)于DDR2-800，所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性，而在DDR3的設(shè)計(jì)中，特別是在1600Mbps時(shí)，則只有D是滿足設(shè)計(jì)的。

DDR測(cè)試

DDRSDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流，DDR5也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō)，我們通常說(shuō)的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會(huì)有讀寫(xiě)間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) DDR測(cè)試USB眼圖測(cè)試設(shè)備？

DDR測(cè)試

DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務(wù)器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務(wù)器領(lǐng)域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒(méi)有額外驅(qū)動(dòng)電路，延時(shí)較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí)，UDIMM需要保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設(shè)計(jì)難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場(chǎng)合。 借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些；北京DDR測(cè)試規(guī)格尺寸

DDR4信號(hào)完整性測(cè)試案例；北京DDR測(cè)試規(guī)格尺寸

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DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過(guò)很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來(lái)說(shuō)，DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單，只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也開(kāi)始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 北京DDR測(cè)試規(guī)格尺寸