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光刻系統(tǒng)SUSS是一種應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，其比較大基片尺寸為6英寸，可實(shí)現(xiàn)0.5μm的分辨率和1μm的**小線寬 [1]。該系統(tǒng)通過精密光學(xué)曝光技術(shù)完成微電子器件的圖形轉(zhuǎn)移，為集成電路研發(fā)和生產(chǎn)提供關(guān)鍵工藝支持。比較大基片處理能力：支持直徑6英...

**普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～25C）。在I線光刻膠曝光中會(huì)生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒有影響；在化學(xué)放大光刻膠（CAR，Chemical Ampli...

廣角鏡頭又分為普通廣角鏡頭和超廣角鏡頭兩種。135照相機(jī)普通廣角鏡頭的焦距一般為38－24毫米，視角為60－84度；超廣角鏡頭的焦距為20－13毫米，視角為94-118度。由于廣角鏡頭的焦距短，視角大，在較短的拍攝距離范圍內(nèi)，能拍攝到較大面積的景物。所以，**...

5、刃壁刃壁是沖裁凹模孔刃口的側(cè)壁。6、刃口斜度刃口斜度是沖裁凹?？兹斜诘拿總?cè)斜度。7、氣墊氣墊是以壓縮空氣為原動(dòng)力的彈頂器。參閱“彈頂器”。8、反側(cè)壓塊反側(cè)壓塊是從工作面的另一側(cè)支持單向受力凸模的零件。9、導(dǎo)套導(dǎo)套是為上、下模座相對(duì)運(yùn)動(dòng)提供精密導(dǎo)向的管狀零件...

現(xiàn)代學(xué)者的共識(shí)是該機(jī)械是在希臘語使用區(qū)域制造，所有機(jī)械上組件的文字都是通用希臘語。一種假說認(rèn)為，該機(jī)械是在希臘當(dāng)時(shí)的天文和機(jī)械工程中心羅德島上的斯多亞學(xué)派學(xué)者波希多尼制造，而天文學(xué)家喜帕恰斯參與了設(shè)計(jì)，因?yàn)樵摍C(jī)械采用了喜帕恰斯的月球運(yùn)動(dòng)理論。但由安提基特拉機(jī)械...

01:50光刻機(jī)為什么難造？看看他的黑科技！提高光刻技術(shù)分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代，極紫外光刻技術(shù)就已經(jīng)開始理論的研究和初步的實(shí) 驗(yàn)，該技術(shù) 的光源是波 長 為11～14...

世界三 大光刻機(jī) 生產(chǎn)商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 沒 式 光 刻 機(jī) 樣 機(jī) 都 是 在 原 有193nm干式光刻機(jī)的基礎(chǔ)上改進(jìn)研制而成，**降低了研發(fā)成本和風(fēng)險(xiǎn)。因?yàn)榻]式光刻系統(tǒng)的原理清晰而且配合現(xiàn)有的光刻技術(shù)變動(dòng)不大，目前193...

38、卸料螺釘卸料螺釘是固定在彈壓卸料板上的螺釘，用于限制彈壓卸料板的靜止位置。39、單工序模單工序模是在壓力機(jī)一次行程中只完成一道工序的沖模。40、廢料切刀廢料切刀有兩種。1．裝于拉深件凸緣切邊模上用于割斷整圈切邊廢料以利***的切刀。2．裝于壓力機(jī)或模具上...

***，安提基特拉機(jī)械前方面板是現(xiàn)代天文年鑒的前身（Parapegma），可以設(shè)定標(biāo)記特定恒星的升起。一般認(rèn)為每顆恒星都以機(jī)械上一個(gè)希臘文字母做標(biāo)記。在機(jī)械后面上方的轉(zhuǎn)盤是螺旋形，每次旋轉(zhuǎn)分成47個(gè)部分，**19年或235個(gè)朔望月的默冬章。該循環(huán)對(duì)于歷法修正很...

b、堅(jiān)膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力；c、進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性；d、進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)（Standing Wave Effect）。常見問題：a、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強(qiáng)度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻...

鏡頭的改變：在相同物距 和光圈的情況下，使用不同焦距的鏡頭可改變景深，鏡頭焦距越短，**深越大，對(duì)于超廣角鏡（8---15毫米），景深非常大，以致無需調(diào)焦，因?yàn)槊恳患?jí)光圈的景深都是清晰。光學(xué)工業(yè)鏡頭***用于反射度極高的物體定位檢測(cè)，如：金屬、玻璃、膠片、晶片...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)...

攝影者也許會(huì)有這樣的體會(huì)：在照相機(jī)上裝上一個(gè)遠(yuǎn)攝鏡頭并從單鏡頭反光照相機(jī)取景器中觀察，竟一時(shí)無法想象充盈于取景器畫面的景象在何方位，不得已，只好將眼睛離開照相機(jī)取景目鏡眺望實(shí)景，方搞清楚原來是鏡頭視野太窄，它所“見”到的只是人眼通常所見到的畫面中相當(dāng)小的一部分...

德瑞克·約翰·德索拉·普萊斯提出該裝置可能是公開展示，地點(diǎn)或許是羅德島上的博物館或公共會(huì)堂。羅德島在當(dāng)時(shí)是以機(jī)械工程聞名，尤其是羅德島人擅長的自動(dòng)機(jī)械。古希臘九大抒情詩人中的品達(dá)在他的第七首奧林匹克頌中提及：The animated figures stand...

校準(zhǔn)的基本要求校準(zhǔn)應(yīng)滿足的基本要求如下：1.環(huán)境條件校準(zhǔn)如在檢定(校準(zhǔn))室進(jìn)行，則環(huán)境條件應(yīng)滿足實(shí)驗(yàn)室要求的溫度、濕度等規(guī)定。校準(zhǔn)如在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行，則環(huán)境條件以能滿足儀表現(xiàn)場(chǎng)使用的條件為準(zhǔn)。2.儀器作為校準(zhǔn)用的標(biāo)準(zhǔn)儀器其誤差限應(yīng)是被校表誤差限的1/3~1/10。3...

鏡頭的改變：在相同物距 和光圈的情況下，使用不同焦距的鏡頭可改變景深，鏡頭焦距越短，**深越大，對(duì)于超廣角鏡（8---15毫米），景深非常大，以致無需調(diào)焦，因?yàn)槊恳患?jí)光圈的景深都是清晰。光學(xué)工業(yè)鏡頭***用于反射度極高的物體定位檢測(cè)，如：金屬、玻璃、膠片、晶片...

光刻技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)上一個(gè)比較大的瓶頸?，F(xiàn)cpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)的，但是因受到波長的影響還在這個(gè)技術(shù)上有所突破是十分困難的，但是如采用EUV光刻技術(shù)就會(huì)很好的解決此問題，很可能會(huì)使該領(lǐng)域帶來一次飛躍。但是涉...

前方的轉(zhuǎn)盤可能至少有三個(gè)指針，***個(gè)指針指示日期，另外兩個(gè)則分別指示太陽和月球位置。月球的指針已被調(diào)整過**月球軌道的變化，因此相信太陽的指針也有過類似的調(diào)整，但相關(guān)機(jī)制的齒輪（如有）已經(jīng)不存。前方轉(zhuǎn)盤的第二個(gè)功能則是有一個(gè)月球的球形，做為月相指示。該機(jī)械上...

普萊斯在以上文章中發(fā)表的模式是較早基于放射影像所見該機(jī)械內(nèi)部結(jié)構(gòu)之后，提出的較早理論重建模式。他的模式中，機(jī)械前方的轉(zhuǎn)盤**太陽和月球在古埃及歷法上黃道帶的位置。在儀器后面的上方轉(zhuǎn)盤則顯示一個(gè)四年周期，并且和顯示周期為235個(gè)朔望月的默冬章相關(guān)，這和19個(gè)回歸...

放大率問題：光學(xué)鏡頭放大率問題，很多客戶可能對(duì)鏡頭放大率不了解或者認(rèn)識(shí)不多，所以造成了對(duì)鏡頭使用的錯(cuò)誤操作或者選購不到合適的鏡頭，因此，普密斯光學(xué)針對(duì)這一問題進(jìn)行專業(yè)的講述，希望可以幫助大家更好的理解鏡頭參數(shù)問題。放 大 率 光學(xué)放大率影像大小相對(duì)于物體的放大...

19.超負(fù)荷保護(hù)裝置之油路清潔,油室清洗,油品換新及壓力動(dòng)作與功能測(cè)試調(diào)整.20.主馬達(dá)V型皮帶磨耗及張力狀況檢查,調(diào)整.21.離剎機(jī)構(gòu)各部件拆卸分解(飛輪不含)清潔保養(yǎng),間隙檢查調(diào)整及裝復(fù)調(diào)試.22.平衡器另部件拆卸分解,清潔檢查及裝復(fù)調(diào)試.C.每使用600...

主要流程光復(fù)印工藝的主要流程如圖2：曝光方式常用的曝光方式分類如下：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對(duì)關(guān)系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn)。但容易損傷和沾污掩模版和...

1：可用機(jī)電式驅(qū)動(dòng)器或液壓缸作為驅(qū)動(dòng)動(dòng)力。2：快速、精確地對(duì)卷材進(jìn)行定位，使用的卷材寬度可達(dá)1930mm（76.0″）。3：低摩擦滾珠軸套和轉(zhuǎn)動(dòng)桿的設(shè)計(jì)。4：耐用的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可長時(shí)間連續(xù)使用，**降低維修的需要。5：可選配的伺服對(duì)中器提高設(shè)置和卷材線性速度。6：...

早在80年代，極紫外光刻技術(shù)就已經(jīng)開始理論的研究和初步的實(shí) 驗(yàn)，該技術(shù) 的光源是波 長 為11～14 nm的極端遠(yuǎn)紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長達(dá)到提高光刻技術(shù)分辨率的目的。由于所有的光學(xué)材料對(duì)該波長的光有強(qiáng)烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EU...

浸沒式光刻技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)主要有：如何解決曝光中產(chǎn)生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發(fā)折射率較大的光學(xué)鏡頭材料和浸沒液體材料；以 及 有 效 數(shù) 值 孔 徑NA值 的 拓 展 等 問題。針 對(duì) 這 些 難 ...

顯影中的常見問題：a、顯影不完全（Incomplete Development）。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成；b、顯影不夠（Under Development）。顯影的側(cè)壁不垂直，由顯影時(shí)間不足造成；c、過度顯影（Over Development）?？?..

25.模墊拆卸分解及清潔檢查各磨耗面與重新涂抹潤滑脂后組裝試車.1、沖床工必須經(jīng)過學(xué)習(xí)，掌握沖床的結(jié)構(gòu)、性能，熟悉操作規(guī)程并取得操作許可方可**操作。2、正確使用沖床上安全保護(hù)和控制裝置，不得任意拆動(dòng)。3、檢查沖床各傳動(dòng)、連接、潤滑等部位及防護(hù)保險(xiǎn)裝置是否正常...

兩種工藝常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面。①光復(fù)印工藝...

f/光圈數(shù)和光圈大小調(diào)定在某一f/光圈數(shù)時(shí)的任何種類的鏡頭能夠透射過幾乎相同 光量的影象，因?yàn)楣怅@直徑直接與焦距相關(guān)，例如，一只80毫米的鏡頭在使用5毫米的光闌直徑時(shí)，光圈必定調(diào)節(jié)在f/16上。因此鏡頭的焦距在除以光闌直徑后，就得到相應(yīng)的f/光圈數(shù)。焦距標(biāo)記調(diào)...

EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高的光刻分辨率。換個(gè)角度講，使用193i與EUV光刻機(jī)曝同一個(gè)...