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SEMIKRON賽米控SKIIP1813GB123-3DLSEMIKRON 的 SiNTER 燒結技術通過銀基燒結材料替代傳統(tǒng)的錫鉛焊料，實現(xiàn)了模塊導熱性能與壽命的**性提升。銀燒結層的導熱系數(shù)高達 250W/(m?K)，是傳統(tǒng)焊料的 3 倍，可快速將芯片產(chǎn)生的熱量傳遞至散熱基板，使模塊的熱阻降低 40%—— 以 1200V/50A 的 IGBT 模塊為例，采用 SiNTER 技術后，滿負荷運行時芯片溫度比傳統(tǒng)模塊低 25℃，直接延長模塊壽命 3 倍以上。在功率循環(huán)測試中（ΔTj=100K），采用 SiNTER 技術的模塊循環(huán)次數(shù)可達 5 萬次，而傳統(tǒng)焊接模塊* 1 萬次，特別適用于風電、新能源汽車等需要長期穩(wěn)定運行的場景。該技術還具備優(yōu)異的耐高溫性...
2025-08-29