通過對這些微光信號的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實現(xiàn)微米級的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術(shù)，它檢測的是芯片工作時因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時的電阻損耗、電路短路時的異常功耗，都會轉(zhuǎn)化為局部溫度的細(xì)微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā)，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過分析溫度異常區(qū)域，它能間接推斷電路中的故障點，尤其擅長發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關(guān)的問題。升級后的冷卻系統(tǒng)，能減少設(shè)備自身熱噪聲，讓對微弱光子的探測更靈敏，提升檢測下限。微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對比

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。

二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補，能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨特優(yōu)勢在于，即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。

半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡故障維修我司自研含微光顯微鏡等設(shè)備，獲多所高校、科研院所及企業(yè)認(rèn)可使用，性能佳，廣受贊譽。

可探測到亮點的情況

一、由缺陷導(dǎo)致的亮點結(jié)漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理損傷（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮點飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態(tài)的 MOS 管 / 動態(tài) CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二極管 / 反向偏置二極管（擊穿狀態(tài)）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設(shè)備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領(lǐng)域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現(xiàn)象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導(dǎo)致芯片乃至整個控制系統(tǒng)的失效。因此，芯片微漏電現(xiàn)象在集成電路失效分析中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。此外，考慮到大多數(shù)集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經(jīng)出現(xiàn)失效。因此，準(zhǔn)確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關(guān)重要。 針對納米級半導(dǎo)體器件，搭配超高倍物鏡，能分辨納米尺度的缺陷發(fā)光，推動納米電子學(xué)研究。

在半導(dǎo)體芯片的精密檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”，各自憑借獨特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢，在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測，但在邏輯與適用場景上的差異，使其成為互補而非替代的檢測組合。從技術(shù)原理來看，兩者的 “探測語言” 截然不同。

微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”，其重心在于高靈敏度的光子傳感器，能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號 —— 這些信號可能來自 PN 結(jié)漏電時的電子躍遷，或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放，波長多集中在可見光至近紅外范圍。

靜電放電破壞半導(dǎo)體器件時，微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點，助分析原因程度。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡圖像分析

微光顯微鏡能檢測半導(dǎo)體器件微小缺陷和失效點，及時發(fā)現(xiàn)隱患，保障設(shè)備可靠運行、提升通信質(zhì)量。微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對比

半導(dǎo)體企業(yè)購入微光顯微鏡設(shè)備，是提升自身競爭力的關(guān)鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設(shè)計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產(chǎn)品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時通過提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對比