半導體行業(yè)持續(xù)向更小尺寸、更高集成度方向邁進，這對檢測技術提出了更高要求。EMMI 順應這一趨勢，不斷創(chuàng)新發(fā)展。一方面，研發(fā)團隊致力于進一步提升探測器靈敏度，使其能夠探測到更微弱、更罕見的光信號，以應對未來半導體器件中可能出現(xiàn)的更細微缺陷；另一方面，通過優(yōu)化光學系統(tǒng)與信號處理算法，提高 EMMI 對復雜芯片結構的穿透能力與檢測精度，確保在先進制程工藝下，依然能夠精細定位深埋于芯片內(nèi)部的故障點，為半導體技術持續(xù)突破保駕護航。微光顯微鏡的應用覆蓋汽車電子、功率器件等多個領域。制造微光顯微鏡運動

隨后，通過去層處理逐步去除芯片中的金屬布線層和介質層，配合掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學顯微鏡的細節(jié)觀察，進一步確認缺陷的具體形貌。這些缺陷可能表現(xiàn)為金屬線路的腐蝕、氧化層的剝落或晶體管柵極的損傷。結合實驗結果，分析人員能夠追溯出導致失效的具體機理，例如電遷移效應、熱載流子注入或工藝污染等。這樣的“定位—驗證—溯源”閉環(huán)過程，使PEM系統(tǒng)在半導體器件及集成電路的失效研究中展現(xiàn)了極高的實用價值，為工程師提供了可靠的分析手段。低溫熱微光顯微鏡范圍在復雜制程節(jié)點，微光顯微鏡能揭示潛在失效點。

短路是芯片失效中常見且重要的誘發(fā)因素。當芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時，受影響區(qū)域會形成異常電流通路，導致局部溫度迅速升高，并伴隨特定波長的光發(fā)射現(xiàn)象。

致晟光電微光顯微鏡（EMMI）憑借其高靈敏度，能夠捕捉到這些由短路引發(fā)的微弱光信號，并通過對光強分布、空間位置等特征進行綜合分析，實現(xiàn)對短路故障點的精確定位。以一款高性能微處理器芯片為例，其在測試過程中出現(xiàn)不明原因的功耗異常增加，工程師初步懷疑芯片內(nèi)部存在短路隱患。

在電性失效分析領域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應力下運行時，這些缺陷部位會產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結構。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復雜的布線網(wǎng)絡中精細鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統(tǒng)聯(lián)動，實現(xiàn)不同工作模式下的動態(tài)成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設計優(yōu)化或工藝改進方案。晶體管漏電點清晰呈現(xiàn)。

在不同類型的半導體產(chǎn)品中，EMMI（微光顯微鏡） 扮演著差異化卻同樣重要的角色。對于功率半導體，如 IGBT 模塊，其工作時承受高電壓、大電流，微小的缺陷極易引發(fā)過熱甚至燒毀。EMMI 能夠檢測到因缺陷產(chǎn)生的異常光發(fā)射，幫助工程師排查出芯片內(nèi)部的擊穿點或接觸不良區(qū)域，保障功率半導體在電力電子設備中的可靠運行。而在存儲芯片領域，EMMI 可用于檢測存儲單元漏電等問題，確保數(shù)據(jù)存儲的準確性與穩(wěn)定性，維護整個存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)安全。技術員依靠圖像快速判斷。顯微微光顯微鏡選購指南

我司設備面對閘極氧化層缺陷，微光顯微鏡可檢測其漏電，助力及時解決相關問題，避免器件性能下降或失效。制造微光顯微鏡運動

EMMI 的技術基于半導體物理原理，當半導體器件內(nèi)部存在缺陷導致異常電學行為時，會引發(fā)電子 - 空穴對的復合，進而產(chǎn)生光子發(fā)射。設備中的高靈敏度探測器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過度形成的微小短路，傳統(tǒng)檢測手段難以察覺，EMMI 卻能憑借其對光子的探測，將這類潛在問題清晰暴露，助力工程師快速定位，及時調整工藝參數(shù)，避免大量不良品的產(chǎn)生，極大提升了半導體制造的良品率與生產(chǎn)效率。制造微光顯微鏡運動