EMMI 的技術(shù)基于半導(dǎo)體物理原理，當(dāng)半導(dǎo)體器件內(nèi)部存在缺陷導(dǎo)致異常電學(xué)行為時(shí)，會(huì)引發(fā)電子 - 空穴對(duì)的復(fù)合，進(jìn)而產(chǎn)生光子發(fā)射。設(shè)備中的高靈敏度探測(cè)器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號(hào)捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過(guò)度形成的微小短路，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難以察覺(jué)，EMMI 卻能憑借其對(duì)光子的探測(cè)，將這類(lèi)潛在問(wèn)題清晰暴露，助力工程師快速定位，及時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，避免大量不良品的產(chǎn)生，極大提升了半導(dǎo)體制造的良品率與生產(chǎn)效率。其低噪聲電纜連接設(shè)計(jì)，減少信號(hào)傳輸過(guò)程中的損耗，確保微弱光子信號(hào)完整傳遞至探測(cè)器。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡儀器

在致晟光電的微光顯微鏡系統(tǒng)中，光發(fā)射顯微技術(shù)憑借優(yōu)化設(shè)計(jì)的光學(xué)系統(tǒng)與制冷型 InGaAs 探測(cè)器，能夠捕捉低至皮瓦（pW）級(jí)別的微弱光子信號(hào)。這一能力使其在檢測(cè)柵極漏電、PN 結(jié)微短路等低強(qiáng)度發(fā)光失效問(wèn)題時(shí)，展現(xiàn)出靈敏度與可靠性。同時(shí)，微光顯微鏡具備非破壞性的檢測(cè)特性，確保器件在分析過(guò)程中不受損傷，既適用于研發(fā)階段的失效分析，也滿足量產(chǎn)階段對(duì)質(zhì)量管控的嚴(yán)苛要求。其亞微米級(jí)的空間分辨率，更讓微小缺陷無(wú)所遁形，為高精度芯片分析提供了有力保障。
無(wú)損微光顯微鏡為提升微光顯微鏡探測(cè)力，我司多種光學(xué)物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝，滿足不同微光探測(cè)需求。

在芯片失效分析的流程中，失效背景調(diào)查相當(dāng)于提前設(shè)置好的“導(dǎo)航系統(tǒng)”，它能夠?yàn)榉治鋈藛T提供清晰的方向，幫助快速掌握樣品的整體情況，為后續(xù)環(huán)節(jié)奠定可靠基礎(chǔ)。

首先需要明確的是芯片的型號(hào)信息。不同型號(hào)的芯片在電路結(jié)構(gòu)、工作原理和設(shè)計(jì)目標(biāo)上都可能存在較大差異，因此型號(hào)的收集與確認(rèn)是所有分析工作的起點(diǎn)。緊隨其后的是應(yīng)用場(chǎng)景的梳理。

無(wú)論芯片是應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域，使用環(huán)境和運(yùn)行負(fù)荷都會(huì)不同，這些條件會(huì)直接影響失效表現(xiàn)及其可能原因。

Thermal和EMMI是半導(dǎo)體失效分析中常用的兩種定位技術(shù)，主要區(qū)別在于信號(hào)來(lái)源和應(yīng)用場(chǎng)景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過(guò)紅外成像捕捉芯片局部發(fā)熱區(qū)域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發(fā)溫升的失效現(xiàn)象，響應(yīng)快、直觀性強(qiáng)。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴(lài)芯片在失效狀態(tài)下產(chǎn)生的微弱自發(fā)光信號(hào)進(jìn)行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場(chǎng)景，而EMMI則在熱信號(hào)不明顯但存在異常電性行為時(shí)更具優(yōu)勢(shì)。實(shí)際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實(shí)現(xiàn)失效點(diǎn)定位和問(wèn)題判斷。微光顯微鏡顯微在檢測(cè)柵極漏電、PN 結(jié)微短路等微弱發(fā)光失效時(shí)可以做到精細(xì)可靠。

在電性失效分析領(lǐng)域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測(cè)擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應(yīng)力下運(yùn)行時(shí)，這些缺陷部位會(huì)產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場(chǎng)狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進(jìn)行非接觸式觀測(cè)，快速定位失效點(diǎn)，無(wú)需拆封或破壞結(jié)構(gòu)。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因?yàn)樗茉趶?fù)雜的布線網(wǎng)絡(luò)中精細(xì)鎖定問(wèn)題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統(tǒng)聯(lián)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)不同工作模式下的動(dòng)態(tài)成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴(lài)性，幫助工程師制定更有針對(duì)性的設(shè)計(jì)優(yōu)化或工藝改進(jìn)方案。我司微光顯微鏡分析 PCB/PCBA 失效元器件周?chē)庾樱膳袛嗥涫欠袷Ъ邦?lèi)型位置，提高維修效率、降低成本。廠家微光顯微鏡對(duì)比

具備“顯微”級(jí)空間分辨能力，能將熱點(diǎn)區(qū)域精確定位在數(shù)微米甚至亞微米尺度。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡儀器

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發(fā)的微弱光發(fā)射方面更具優(yōu)勢(shì)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長(zhǎng)捕捉因功率耗散導(dǎo)致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對(duì)比中，EMMI 無(wú)需真空環(huán)境，且屬于非破壞性檢測(cè)，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實(shí)際失效分析中，這些技術(shù)往往互為補(bǔ)充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區(qū)域，再借助 SEM 或 FIB 對(duì)目標(biāo)位置進(jìn)行精細(xì)剖析與結(jié)構(gòu)驗(yàn)證，從而形成完整的分析鏈路。
半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡儀器