廣東中翔新材料簽約德米薩智能ERP加強(qiáng)企業(yè)管理水平
碩鋮工業(yè)簽約德米薩智能進(jìn)銷存系統(tǒng)提升企業(yè)管理水平
燊川實業(yè)簽約德米薩醫(yī)療器械管理軟件助力企業(yè)科學(xué)發(fā)展
森尼電梯簽約德米薩進(jìn)銷存系統(tǒng)優(yōu)化企業(yè)資源管控
喜報!熱烈祝賀德米薩通過國際CMMI3認(rèn)證
德米薩推出MES系統(tǒng)助力生產(chǎn)制造企業(yè)規(guī)范管理
德米薩醫(yī)療器械管理軟件通過上海市醫(yī)療器械行業(yè)協(xié)會評審認(rèn)證
德米薩ERP助力客戶成功對接中石化易派客平臺
選擇進(jìn)銷存軟件要考慮哪些因素
德米薩告訴您為什么說ERP系統(tǒng)培訓(xùn)很重要?
強(qiáng)化制造與品控: 擁有先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯片制造產(chǎn)線和現(xiàn)代化的模塊封裝測試工廠。嚴(yán)格實施全過程質(zhì)量控制體系,從原材料篩選、晶圓制造、芯片測試到封裝老化篩選,層層把關(guān),確保交付給客戶的每一顆器件都具備穩(wěn)定的性能和長久的使用壽命。聚焦關(guān)鍵應(yīng)用:綠色能源: 為光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電變流器提供高效率的IGBT模塊和SiC解決方案,減少可再生能源發(fā)電過程中的能量損失。電動出行: 開發(fā)適用于新能源汽車主驅(qū)電機(jī)控制器、車載充電機(jī)(OBC)、車載DC-DC轉(zhuǎn)換器的高性能IGBT模塊、SiC MOSFET及配套二極管,助力提升車輛續(xù)航里程,優(yōu)化充電效率。工業(yè)動力: 為工業(yè)變頻器、伺服驅(qū)動器、大型工業(yè)電源等提供可靠耐用的IGBT和MOSFET產(chǎn)品,推動工業(yè)自動化設(shè)備節(jié)能降耗。消費與電源: 提供用于PC/服務(wù)器電源、適配器、消費類電機(jī)控制等應(yīng)用的MOSFET和GaN器件,滿足小型化、高效率的市場需求。需要功率器件供應(yīng)可以選江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司。BMS功率器件價格
江東東海半導(dǎo)體的IGBT創(chuàng)新之路江東東海半導(dǎo)體深刻理解IGBT在現(xiàn)代能源體系中的關(guān)鍵地位,將技術(shù)創(chuàng)新與工藝突破視為發(fā)展命脈:深度布局中心技術(shù):公司在溝槽柵場截止型(TrenchFieldStop,TFS)IGBT技術(shù)領(lǐng)域形成了堅實的技術(shù)積累。通過持續(xù)優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計、精細(xì)控制載流子壽命工程、改進(jìn)背面減薄與激光退火工藝,成功開發(fā)出兼具低導(dǎo)通壓降(Vce(sat))與低關(guān)斷損耗(Eoff)的先進(jìn)IGBT芯片。覆蓋有力的產(chǎn)品矩陣:產(chǎn)品線覆蓋大多電壓等級(600V,650V,1200V,1350V,1700V等)與電流等級,滿足不同應(yīng)用場景需求:分立器件:提供多種封裝(如TO-247,TO-2**2PAK,TOLL等)的分立IGBT及配套快恢復(fù)二極管(FRD),適用于家電、中小功率工業(yè)設(shè)備、充電器等。IGBT模塊:開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)型與定制化IGBT模塊(如EconoDUAL?3,62mm,34mm,EasyPACK?等封裝),廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、伺服、新能源發(fā)電、電動汽車主驅(qū)及輔驅(qū)等。智能功率模塊:推出高度集成的IPM產(chǎn)品,內(nèi)置IGBT、驅(qū)動電路、保護(hù)功能(過流、短路、過熱等),極大簡化客戶系統(tǒng)設(shè)計,提升可靠性,是白色家電、小功率工業(yè)驅(qū)動的理想選擇。上海儲能功率器件品牌品質(zhì)功率器件供應(yīng),選擇江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司,有需要可以聯(lián)系我司哦!
SiC材料的突破性特質(zhì)與產(chǎn)業(yè)價值:極高的臨界擊穿電場(~2-3 MV/cm): SiC的臨界擊穿電場強(qiáng)度約是硅的10倍。這一特性允許在相同電壓等級下,SiC器件的漂移區(qū)可以設(shè)計得更薄、摻雜濃度更高,從而明顯降低器件的導(dǎo)通電阻,帶來更低的導(dǎo)通損耗。優(yōu)異的電子飽和漂移速度(~2.0×10? cm/s): SiC中電子飽和漂移速度高于硅材料,使得SiC器件具備在極高頻率下工作的潛力。這對于減小系統(tǒng)中無源元件(如電感、電容)的體積與重量,提升功率密度至關(guān)重要。
SiC材料的突破性特質(zhì)與產(chǎn)業(yè)價值SiC材料之所以在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)高度關(guān)注,源于其與生俱來的比較好物理屬性:超寬禁帶寬度(~3.3eV):SiC的禁帶寬度遠(yuǎn)超硅材料(~1.1eV)。這一特性賦予SiC器件在極高電場下穩(wěn)定工作的能力,阻斷電壓可輕松突破千伏乃至萬伏級別,為高壓大功率應(yīng)用奠定了材料學(xué)基礎(chǔ)。同時,寬禁帶明顯降低了器件的漏電流,即使在高溫環(huán)境下也能維持良好性能。比較好的熱導(dǎo)率(~3.7-4.9W/cm·K):SiC材料的熱導(dǎo)率數(shù)倍于硅材料。這意味著SiC芯片自身產(chǎn)生的熱量能更有效地傳導(dǎo)散發(fā)出去,大幅降低器件結(jié)溫,提升系統(tǒng)的熱可靠性,對散熱系統(tǒng)的依賴得以減輕。品質(zhì)功率器件供應(yīng),就選江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司,需要電話聯(lián)系我司哦!
材料探索: 盡管硅基(Si)技術(shù)仍是低壓MOS管的主流,寬禁帶半導(dǎo)體(如GaN)在超高頻、超高效率應(yīng)用中對硅基MOS管形成挑戰(zhàn)。硅基技術(shù)通過持續(xù)優(yōu)化(如超級結(jié)技術(shù)向低壓延伸、超薄晶圓工藝)鞏固其在成本、成熟度、可靠性與大電流領(lǐng)域的地位。未來將是Si與GaN根據(jù)各自優(yōu)勢互補(bǔ)共存??煽啃詮?qiáng)化: 對雪崩耐量(EAS)、柵極魯棒性(Vgs耐受)、熱性能(RthJC)的持續(xù)優(yōu)化,確保器件在嚴(yán)苛環(huán)境下(如汽車電子、工業(yè)控制)的穩(wěn)定運行。先進(jìn)的測試與篩選方法保障出廠器件的品質(zhì)。品質(zhì)功率器件供應(yīng),就選江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司,需要的話可以電話聯(lián)系我司哦!無錫電動工具功率器件合作
品質(zhì)功率器件供應(yīng),就選江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司,需要請電話聯(lián)系我司哦!BMS功率器件價格
SiC MOSFET: SiC MOSFET是當(dāng)前市場的主力器件。其結(jié)合了高輸入阻抗(電壓控制)和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點。江東東海半導(dǎo)體采用先進(jìn)的溝槽柵(Trench)或平面柵(Planar)結(jié)構(gòu)設(shè)計,優(yōu)化了柵氧可靠性、降低了導(dǎo)通電阻(Rds(on))、提升了開關(guān)速度。其1700V及以下電壓等級的SiC MOSFET在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗方面均展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢,尤其適合高頻高效應(yīng)用。SiC 功率模塊: 為滿足大功率系統(tǒng)的需求,江東東海半導(dǎo)體將多個SiC MOSFET芯片和SBD芯片通過先進(jìn)封裝技術(shù)集成在單一模塊內(nèi)(如半橋、全橋、三相橋等)。采用低電感設(shè)計、高性能陶瓷基板(如AMB活性金屬釬焊基板)及高效散熱結(jié)構(gòu),其SiC功率模塊具備高功率密度、低熱阻、高可靠性及簡化的系統(tǒng)設(shè)計等突出特點,廣泛應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器、大功率工業(yè)變頻等領(lǐng)域。BMS功率器件價格