石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴(lài)高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問(wèn)題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車(chē)道。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。天津德國(guó)POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

某分析化學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測(cè)限達(dá) 1nM，較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過(guò)軟件輸入不同圖案，可在 24 小時(shí)內(nèi)完成從葡萄糖檢測(cè)到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時(shí)檢測(cè)（POCT）設(shè)備，使現(xiàn)場(chǎng)水質(zhì)監(jiān)測(cè)時(shí)間從 2 小時(shí)縮短至 10 分鐘，相關(guān)設(shè)備已通過(guò)歐盟 CE 認(rèn)證。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。天津德國(guó)POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米無(wú)掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì)：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設(shè)計(jì)實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。

針對(duì)植入式醫(yī)療設(shè)備的長(zhǎng)期安全性問(wèn)題，某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無(wú)掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測(cè)試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%。通過(guò)自定義螺旋狀天線(xiàn)圖案，開(kāi)發(fā)出的可降解心率監(jiān)測(cè)器，在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月，信號(hào)傳輸穩(wěn)定性較同類(lèi)產(chǎn)品提升 50%，相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評(píng)價(jià)階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無(wú)人機(jī)避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬(wàn)片。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。科研成果轉(zhuǎn)化：中科院利用同類(lèi)技術(shù)制備跨尺度微盤(pán)陣列，研究細(xì)胞浸潤(rùn)機(jī)制。

超表面通過(guò)納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場(chǎng)，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)在石英基底上實(shí)現(xiàn)了亞波長(zhǎng)量級(jí)的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該設(shè)備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長(zhǎng)范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實(shí)時(shí)優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時(shí)，推動(dòng)超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。河北德國(guó)BEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

微流體領(lǐng)域：支持 1-100μm 微通道定制，助力organ芯片血管網(wǎng)絡(luò)precise建模。天津德國(guó)POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

Polos-BESM XL Mk2專(zhuān)為6英寸晶圓設(shè)計(jì)，寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺(tái)雙向重復(fù)性精度0.1 μm，滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實(shí)時(shí)觀(guān)測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。天津德國(guó)POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米