本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術(shù)：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細(xì)布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問題，而避免其使用。近年來，為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點，還報道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻(xiàn)1)，由于剝離時的抗蝕劑沒有微細(xì)地粉碎，因此存在近年的微細(xì)的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-323776號公報技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題因此，本發(fā)明的課題在于，提供容易除去微細(xì)的布線間的抗蝕劑的技術(shù)。用于解決問題的手段本發(fā)明人等為了解決上述課題而深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，含有鉀鹽和溶纖劑的溶液與專利文獻(xiàn)1那樣的含有氫氧化鈉和溶纖劑的溶液相比，即使是非常微細(xì)的布線間的抗蝕劑也能細(xì)小地粉碎，從而完成本發(fā)明。即，本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的剝離液，其特征在于，含有鉀鹽和溶纖劑。另外，本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的除去方法，其特征在于，用上述抗蝕劑的剝離液處理施加有抗蝕劑的基材。哪家剝離液的的性價比好。上海銅蝕刻液剝離液

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材，才能再進行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統(tǒng)剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：本申請公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液，包括以下質(zhì)量組分：酰胺：50-60％；醇醚：35-45％；環(huán)胺與鏈胺：3-7％；緩蝕劑：％％；潤濕劑：％％。的技術(shù)方案中，所述的酰胺為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種。的技術(shù)方案中，所述的醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種。的技術(shù)方案中。銅陵什么剝離液費用剝離液使用時要注意什么？

所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級過濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級過濾罐16和二級過濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過濾筒。本實施例中，所述一級過濾罐16和二級過濾罐13的結(jié)構(gòu)相同，以一級過濾罐16為例，由外殼1601、懸設(shè)于外殼1601內(nèi)的過濾筒、扣裝于過濾筒頂部的壓蓋1602組成。所述壓蓋1602中心設(shè)有對應(yīng)進料管路15的通孔。所述過濾筒由均勻布設(shè)多孔1606的支撐筒體1605、設(shè)于支撐筒體1605內(nèi)表面的金屬濾網(wǎng)1604、設(shè)于金屬濾網(wǎng)1604表面的纖維濾布1603組成。所述支撐筒體1605的上沿伸出外殼1601頂部并利用水平翻邊支撐于外殼1601上表面，所述金屬濾網(wǎng)1604的上沿設(shè)有與支撐筒體1605的水平翻邊扣合的定位翻邊。所述支撐筒體1605的底面為向筒體內(nèi)側(cè)凹陷的錐面1607，增加了過濾面積，提高了過濾效率。所述攪拌釜10設(shè)有ph計（圖中省略），用于檢測溶液ph值。攪拌釜10由釜體8、設(shè)于釜體8頂部的攪拌電機4、與攪拌電機4連接的攪拌桿11、設(shè)于攪拌桿11末端的攪拌槳12組成，所述攪拌槳12為u字形，釜體8外表面設(shè)有調(diào)溫水套9。工作過程：1、先向攪拌釜10內(nèi)投入光刻膠廢剝離液，再向釜內(nèi)輸入高純水，兩者在攪拌釜10內(nèi)攪拌均勻。

本申請涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術(shù)：剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減，lift-off先形成光阻并圖案化，再在光阻上成膜，移除光阻的同時，沉積在光阻上的膜層也被剝離，從而完成膜層的圖形化，通過該制程可以實現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達(dá)到光罩縮減的目的?，F(xiàn)有技術(shù)中，由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬，ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層)，在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中，大量的薄膜碎屑將會導(dǎo)致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞，從而導(dǎo)致機臺無法使用，并且需要停止所有剝離液機臺的工作，待將filter清理后再次啟動，降低了生產(chǎn)效率。技術(shù)實現(xiàn)要素：本申請實施例提供一種剝離液機臺及其工作方法，可以提高生產(chǎn)效率。本申請實施例提供一種剝離液機臺，包括：依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應(yīng)連接一存儲箱；過濾器，所述過濾器的一端設(shè)置通過管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連接，所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接；其中，至少在所述管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開關(guān)。在一些實施例中。龍騰光電用的哪家的剝離液？

所述硫脲類緩蝕劑包括硫脲、苯基硫脲或月桂?；螂逯械囊环N。具體的，所述聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑為聚氧乙烯聚氧丙烯單丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一種。采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是：本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液具有較快的剝離速度，對金屬的腐蝕率低，而且使用壽命長。具體實施方式本發(fā)明涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑因為分子中的醚鍵不易被酸、堿破壞，所以穩(wěn)定性較高，水溶性較好，耐電解質(zhì)，易于生物降解，泡沫小。硫脲類緩蝕劑呈現(xiàn)弱堿性，所以在酸性介質(zhì)中能夠起到緩蝕的效果，另外與聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高處理量的作用。下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細(xì)說明。性價比高的剝離液哪里有；池州市面上哪家剝離液哪里買

博洋剝離液供應(yīng)廠商,歡迎隨時來電咨詢！上海銅蝕刻液剝離液

例如即使為50/50μm以下的線/間距、推薦10/10～40/40μm的線/間距也能除去抗蝕劑。實施例以下，舉出實施例對本發(fā)明進行詳細(xì)說明，但本發(fā)明不受這些實施例任何限定。實施例1抗蝕劑的剝離液的制備：將以下的表1中記載的成分在水中混合、溶解而制備抗蝕劑的剝離液?！颈?】(mol/l)氫氧化鉀氫氧化鈉異丙基溶纖劑硅酸鉀本發(fā)明組成：(1)基板制作方法為了提**膜抗蝕劑一基材間的密合，將覆銅層疊板(古河電工(株式會社)制：ccl：電解銅箔gts35μm箔)通過粗化處理(jcu制：ebakemuneobrownnbsii、蝕刻量μm)使表面粗度成為ra約μm。其后，使用干膜抗蝕劑(日立化成制：rd-1225(sap用)：25μm厚)實施從層壓到圖案曝光、顯影。向本基板以15μm厚實施鍍銅(jcu制：cu-britevl)后，切出50×50mm2作為試驗片。需要說明的是，該試驗片是在一片上具有以下的表2的l/s的圖案部分和黏性部分的試驗片。(2)圖案基板上殘留的抗蝕劑的評價方法上述評價方法中將噴涂運行時間固定在4分鐘，按照以下的評價基準(zhǔn)評價l/s＝20/20～40/40μm的圖案部分有無剝離殘渣。將其結(jié)果示于表2。<剝離殘渣的評價基準(zhǔn)>(分?jǐn)?shù))(內(nèi)容)1：無殘渣2：有極少量殘渣。上海銅蝕刻液剝離液