可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統(tǒng)工藝需多次掩模對準，良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實驗室利用該特性，開發(fā)出可實時切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內即可完成從 DNA 擴增到蛋白質檢測的模塊切換。該成果應用于 POCT 設備，使現(xiàn)場快速檢測系統(tǒng)的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。全球產(chǎn)業(yè)鏈整合：德國精密制造背書，與Lab14集團共推光通信芯片封裝技術。湖北德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米

某材料科學研究中心在探索新型納米復合材料的性能時，需要在材料表面構建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現(xiàn)這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結構。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復合材料，其電學、光學和力學性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學性能普通的納米材料，在經(jīng)過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學傳感器提供了新的材料選擇和設計思路 。陜西桌面無掩模光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模Polos-BESM：基礎款高性價比，適合高校實驗室基礎微納加工。

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結構的超疏水涂層。其激光直寫技術在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

某分析化學實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)了集成電化學傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測限達 1nM，較傳統(tǒng)電化學工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案，可在 24 小時內完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測（POCT）設備，使現(xiàn)場水質監(jiān)測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘，相關設備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。材料科學：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強 10 倍。

SPS POLOS μ以桌面化設計降低設備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發(fā)電支持無源物聯(lián)網(wǎng)。陜西桌面無掩模光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

無掩模技術優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實時調整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。湖北德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米

在tumor轉移機制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機構建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過無掩模激光光刻技術，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡與間質纖維化結構，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實驗顯示，該芯片模擬的tumor微環(huán)境中，tumor細胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團隊通過軟件實時調整通道曲率和細胞外基質密度，成功復現(xiàn)了tumor細胞上皮 - 間質轉化（EMT）過程，相關成果發(fā)表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉移藥物的篩選平臺開發(fā)。湖北德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米