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湖北BEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-18

柔性電子是未來(lái)可穿戴設(shè)備的core方向,其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機(jī)的無(wú)掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實(shí)現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光,解決了傳統(tǒng)掩模對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備,開(kāi)發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測(cè)貼片,其傳感器陣列的信號(hào)噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝,Polos 光刻機(jī)將打樣時(shí)間從 72 小時(shí)壓縮至 8 小時(shí),加速了柔性電路的迭代優(yōu)化,推動(dòng)柔性電子從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。光刻膠broad兼容:支持AZ5214E、SU-8等材料,優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。湖北BEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

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大尺寸晶圓的高效處理:Polos-BESM XL的優(yōu)勢(shì)!Polos-BESM XL Mk2專(zhuān)為6英寸晶圓設(shè)計(jì),寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm,平臺(tái)重復(fù)性精度0.1 μm,滿足工業(yè)級(jí)需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì),內(nèi)置高性能筆記本實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。浙江PSP光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸多材料兼容:金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工,微流控芯片集成傳感器一步成型。

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Polos-BESM在電子器件原型開(kāi)發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如,其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入,多層曝光疊加功能簡(jiǎn)化了射頻器件(如IDC電容器)的制造流程。研究團(tuán)隊(duì)利用同類(lèi)設(shè)備成功制備了高頻電路元件,驗(yàn)證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。

針對(duì)碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車(chē)芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開(kāi)關(guān)損耗減少 20%,推動(dòng)車(chē)載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM:基礎(chǔ)款高性價(jià)比,適合高校實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)微納加工。

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無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。材料科學(xué):超疏水表面納米圖案化,接觸角 165°,防腐蝕性能增強(qiáng) 10 倍。江蘇POLOSBEAM-XL光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米

低成本科研普惠:桌面化設(shè)計(jì)減少投入,無(wú)掩膜工藝降低中小型實(shí)驗(yàn)室門(mén)檻。湖北BEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

在tumor轉(zhuǎn)移機(jī)制研究中,某tumor研究中心利用 Polos 光刻機(jī)構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過(guò)無(wú)掩模激光光刻技術(shù),在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu),其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實(shí)驗(yàn)顯示,該芯片模擬的tumor微環(huán)境中,tumor細(xì)胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍,且化療藥物滲透效率降低 40%,與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率和細(xì)胞外基質(zhì)密度,成功復(fù)現(xiàn)了tumor細(xì)胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化(EMT)過(guò)程,相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》,并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺(tái)開(kāi)發(fā)。湖北BEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸