鎖相熱成像系統(tǒng)憑借電激勵在電子產(chǎn)業(yè)的芯片封裝檢測中表現(xiàn)出的性能，成為芯片制造過程中不可或缺的質(zhì)量控制手段。芯片封裝是保護(hù)芯片、實(shí)現(xiàn)電氣連接的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，在封裝過程中，可能會出現(xiàn)焊球空洞、引線鍵合不良、封裝體開裂等多種缺陷。這些缺陷會嚴(yán)重影響芯片的散熱性能和電氣連接可靠性，導(dǎo)致芯片在工作過程中因過熱而失效。通過對芯片施加特定的電激勵，使芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱量，缺陷處由于熱傳導(dǎo)受阻，會形成局部高溫區(qū)域。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠?qū)崟r捕捉芯片表面的溫度場分布，并通過分析溫度場的相位和振幅變化，生成清晰的缺陷圖像，精確顯示出缺陷的位置、大小和形態(tài)。例如，在檢測 BGA 封裝芯片時，系統(tǒng)能準(zhǔn)確識別出焊球中的空洞，即使空洞體積占焊球體積的 5%，也能被定位。這一技術(shù)的應(yīng)用，幫助芯片制造企業(yè)及時發(fā)現(xiàn)封裝過程中的問題，有效降低了產(chǎn)品的不良率，提升了芯片產(chǎn)品的質(zhì)量。電激勵的波形選擇（正弦波、方波等）會影響熱信號的特征，鎖相熱成像系統(tǒng)需針對不同波形優(yōu)化處理算法。實(shí)時瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)性價比

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器，其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術(shù)結(jié)合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達(dá)微米級，可觀察半導(dǎo)體芯片熱點(diǎn)、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實(shí)時成像功能可追蹤動態(tài)熱變化，如材料相變、化學(xué)反應(yīng)熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學(xué)科實(shí)驗；在企業(yè)，為產(chǎn)品研發(fā)和質(zhì)量檢測提供支持，推動各領(lǐng)域創(chuàng)新突破。半導(dǎo)體鎖相紅外熱成像系統(tǒng)按需定制電激勵與鎖相熱成像系統(tǒng)，電子檢測黃金組合。

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測技術(shù)，主要用于精細(xì)定位電子設(shè)備中的熱點(diǎn)區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關(guān)鍵的故障診斷線索和性能分析依據(jù)。在諸如復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識別出異常發(fā)熱或發(fā)光的區(qū)域，幫助工程師迅速定位問題根源，從而及時采取有效的維修或優(yōu)化措施。

鎖相熱成像系統(tǒng)在發(fā)展過程中也面臨著一些技術(shù)難點(diǎn)，其中如何優(yōu)化熱激勵方式與信號處理算法是問題。熱激勵方式的合理性直接影響檢測的靈敏度和準(zhǔn)確性，不同的被測物體需要不同的激勵參數(shù)；而信號處理算法則決定了能否從復(fù)雜的信號中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進(jìn)行探索和創(chuàng)新，通過改進(jìn)光源調(diào)制頻率，使其更適應(yīng)不同檢測場景，開發(fā)多頻融合算法，提高信號處理的效率和精度等方式，持續(xù)提升系統(tǒng)的檢測速度與缺陷識別精度。未來，隨著新型材料的研發(fā)和傳感器技術(shù)的不斷進(jìn)步，鎖相熱成像系統(tǒng)的性能將進(jìn)一步提升，其應(yīng)用領(lǐng)域也將得到的拓展，為更多行業(yè)帶來技術(shù)革新。
鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵檢測更具實(shí)用價值。

在實(shí)際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過熱分布成像識別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過熱；針對 IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開關(guān)下的瞬態(tài)熱行為，提前預(yù)警潛在失效風(fēng)險。某半導(dǎo)體企業(yè)在檢測一批失效芯片時，傳統(tǒng)熱成像設(shè)備能看到模糊的發(fā)熱區(qū)域，而使用致晟光電的一體化設(shè)備后，通過鎖相技術(shù)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱區(qū)域內(nèi)存在一個 2μm 的微小熱點(diǎn)，終定位為芯片內(nèi)部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類缺陷若未及時發(fā)現(xiàn)，可能導(dǎo)致產(chǎn)品在長期使用中突然失效。鎖相熱成像系統(tǒng)借電激勵，捕捉細(xì)微溫度變化辨故障。顯微紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)功能

電激勵模塊是通過源表向被測物體施加周期性方波電信號，通過焦耳效應(yīng)使物體產(chǎn)生周期性的溫度波動。實(shí)時瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)性價比

在產(chǎn)品全壽命周期中，失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標(biāo)。通過對失效模式開展綜合性試驗分析，它能定位失效部位，厘清失效機(jī)理——無論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問題，都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提出針對性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復(fù)發(fā)生。作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，失效分析的價值體現(xiàn)在對全鏈條潛在風(fēng)險的追溯與排查：在設(shè)計（含選型）階段，可通過模擬失效驗證方案合理性；制造環(huán)節(jié)，能鎖定工藝偏差導(dǎo)致的批量隱患；使用過程中，可解析環(huán)境因素對性能衰減的影響；質(zhì)量管理層面，則為標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。實(shí)時瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)性價比